AEC-Q101, řada: E Výkonový MOSFET SIHK185N60E-T1-GE3 Typ N-kanálový 19 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8

Skladové číslo RS:: 252-0267
Výrobní číslo:: SIHK185N60E-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

AEC-Q101, řada: E Výkonový MOSFET SIHK185N60E-T1-GE3 Typ N-kanálový 19 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8

Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*

79 672,00 Kč

(bez DPH)

96 404,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

2 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2000 +	39,836 Kč	79 672,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 252-0267
Výrobní číslo:: SIHK185N60E-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	19A
	Maximální napětí na zdroji Vds	650V
	Typ balení	PowerPAK 10 x 12
	Řada	E
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	0.16Ω
	Režim kanálu	Vyčerpání
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	33nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální ztrátový výkon Pd	114W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Šířka	5.15mm
	Normy/schválení	RoHS
	Délka	6.15mm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 19A
	Maximální napětí na zdroji Vds 650V
	Typ balení PowerPAK 10 x 12
	Řada E
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 0.16Ω
	Režim kanálu Vyčerpání
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 33nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální ztrátový výkon Pd 114W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Šířka 5.15mm
	Normy/schválení RoHS
	Délka 6.15mm
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - SIHK185N60E-T1-GE3

Výkonový MOSFET Vishay řady E, maximální zdrojové napětí vypouštění 650 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 19 A – SIHK185N60E-T1-GE3

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové spínací zařízení pro převod a řízení výkonu v náročných elektronických systémech. Navržen pro povrchovou montáž v kompaktních sestavách, pracuje jako tranzistor s režimem vyčerpání N-kanálu a je vhodný pro aplikace vyžadující vysokou teplotní odolnost a robustní manipulaci s napětím.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý odvod 650 V umožňuje vysokonapěťové spínání • Nepřetržitý vypouštěcí proud 19 A podporuje velkou manipulaci se zátěží • Rds(on) 0,16 Ω minimalizuje ztráty při vedení pro lepší účinnost • Typický náboj hradla 33 nC umožňuje předvídatelnou spínací energii • Rozptýlení výkonu 114 W řídí tepelnou zátěž v kompaktních uspořádáních • Tolerance hradla ±20 V zjednodušuje konstrukci a ochranu pohonu hradla

Aplikace

• Vhodné pro vysokonapěťové napájecí zdroje v průmyslové automatizaci • Ideální pro stupně měničů v systémech řízení motoru • Používá se pro převod DC/DC v náročných elektrických zařízeních • Lze použít pro funkce spínacího režimu v modulech rozvodu napájení

Jaký rozsah provozních teplot odolává?

Funguje v rozsahu -55 °C až +150 °C, což umožňuje použití v prostředích s širokou tepelnou variací.

Jaký typ pouzdra je k dispozici pro integraci PCB?

Zařízení je dodáváno v pouzdru PowerPAK 10 x 12 pro povrchovou montáž s osmi kolíky pro kompaktní montáž.

Jak zařízení splňuje potřeby automobilového vývoje?

Je v souladu s certifikací AEC-Q101 a podporuje návrhy, které vyžadují robustnost součástí úrovně automobilové.

Jaké jsou rozměry fyzického půdorysu?

Součást měří 6,15 mm na délku a 5,15 mm na šířku pro prostorově úsporné uspořádání.