AEC-Q101, řada: E Výkonový MOSFET SIHK185N60E-T1-GE3 N-kanálový 19 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8

Skladové číslo RS:: 252-0267
Výrobní číslo:: SIHK185N60E-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

AEC-Q101, řada: E Výkonový MOSFET SIHK185N60E-T1-GE3 N-kanálový 19 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8

Mezisoučet (2000 jednotky/-ek, v kotouči po 2000 ks)*

79 672,00 Kč

(bez DPH)

96 404,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Poslední zásoby RS

Posledních 2 000 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks	za jednotku	za cívku*
2000 +	39,836 Kč	79 672,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 252-0267
Výrobní číslo:: SIHK185N60E-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	19A
	Maximální napětí na zdroji Vds	650V
	Typ balení	PowerPAK 10 x 12
	Řada	E
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	0.16Ω
	Režim kanálu	Vyčerpání
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	33nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	114W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Délka	6.15mm
	Normy/schválení	RoHS
	Šířka	5.15mm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 19A
	Maximální napětí na zdroji Vds 650V
	Typ balení PowerPAK 10 x 12
	Řada E
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 0.16Ω
	Režim kanálu Vyčerpání
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 33nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 114W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota +150°C
	Délka 6.15mm
	Normy/schválení RoHS
	Šířka 5.15mm
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - SIHK185N60E-T1-GE3

Výkonový tranzistor MOSFET Vishay řady E, napětí drain-zdroj 650 V, nepřetržitý drainový proud 19 A – SIHK185N60E-T1-GE3

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový spínací tranzistor navržený pro aplikace pro povrchovou montáž v náročných elektronických systémech. Funguje jako vyčerpávací zařízení s N-kanálem a je navržen tak, aby fungoval v širokém rozsahu okolního prostředí, díky čemuž je vhodný pro průmyslové a automobilové kontexty, kde je vyžadováno robustní spínání při zvýšeném napětí.

Charakteristiky a výhody:

• Kapacita vypouštění 650 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 19 A podporuje značné zátěžové proudy
• Rds(on) 0.16 Ω snižuje ztráty při vedení během provozu
• Rozptýlení výkonu 114 W umožňuje manipulaci s vysokým výkonem v kompaktních uspořádáních
• Typický náboj hradla 33 nC umožňuje předvídatelné rozpočet spínací energie
• Tolerance hradla ±20 V zachovává integritu hradla při řídicích přechodových jevech

Aplikace

• Vhodné pro vysokonapěťové stupně převodu napájení
• Ideální pro elektronické řídicí moduly v automobilovém průmyslu vyžadující součásti pro automobilový průmysl
• Používá se pro přední spínání motorových pohonů v průmyslových zařízeních
• Lze použít pro spínané napájecí zdroje v offline měničích
• Užitečné v obvodech řízení napájení s náročnými řešeními pro povrchovou montáž

Jaké tepelné extrémy může během nasazení odolat?

Je specifikován pro provoz při teplotách do -55 °C a až +150 °C a vyhovuje náročným výkyvům okolní a spojovací teploty.

Jak je baleno pro montáž na desku plošných spojů?

Dodává se v pouzdru PowerPAK 10x12 pro povrchovou montáž s osmi kolíky, které usnadňují montáž na PCB s nízkou indukčností.

Splňuje kritéria kvalifikace pro automobilový průmysl?

Zařízení splňuje normu AEC-Q101 pro automobilový průmysl, což naznačuje vhodnost pro elektronické systémy vozidel.

Jaký kanál a režim vedení používá?

Tranzistor používá kanál typu N a pracuje v režimu vyčerpání pro své spínací chování.