AEC-Q101, řada: STD MOSFET N-kanálový 55 A 650 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 239-6329
- Výrobní číslo:
- STD86N3LH5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
37 852,50 Kč
(bez DPH)
45 802,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 500 jednotka(y) budou odesílané od 04. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 15,141 Kč | 37 852,50 Kč |
| 5000 + | 14,915 Kč | 37 287,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 239-6329
- Výrobní číslo:
- STD86N3LH5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 55A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | STD | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 45mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 70W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | UL | |
| Šířka | 6.2mm | |
| Délka | 6.6mm | |
| Výška | 2.4mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 55A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada STD | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 45mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 70W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení UL | ||
Šířka 6.2mm | ||
Délka 6.6mm | ||
Výška 2.4mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics MOSFET zařízení je N-kanál napájení MOSFET vyvinutý pomocí STMicroelectronics’ STripFET H5 technologie. Toto zařízení bylo optimalizováno pro dosažení velmi nízkého odporu ve stavu.
Nízký odpor RDSon
Vysoká lavinová odolnost
Nízké ztráty výkonu pohonu zadní výklopné stěny
30 v Vdss
80 A ID
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 10 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 7 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STD11N60DM2 N-kanálový 10 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STD11N65M2 N-kanálový 7 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET N-kanálový 12 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M2 MOSFET N-kanálový 5.5 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení