AEC-Q101, řada: STD MOSFET N-kanálový 55 A 650 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 239-6329
- Výrobní číslo:
- STD86N3LH5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
37 852,50 Kč
(bez DPH)
45 802,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 500 jednotka(y) budou odesílané od 12. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 15,141 Kč | 37 852,50 Kč |
| 5000 + | 14,915 Kč | 37 287,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 239-6329
- Výrobní číslo:
- STD86N3LH5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 55A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | STD | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 45mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 70W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 6.2mm | |
| Normy/schválení | UL | |
| Délka | 6.6mm | |
| Výška | 2.4mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 55A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada STD | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 45mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 70W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 6.2mm | ||
Normy/schválení UL | ||
Délka 6.6mm | ||
Výška 2.4mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics MOSFET zařízení je N-kanál napájení MOSFET vyvinutý pomocí STMicroelectronics STripFET H5 technologie. Toto zařízení bylo optimalizováno pro dosažení velmi nízkého odporu ve stavu.
Nízký odpor RDSon
Vysoká lavinová odolnost
Nízké ztráty výkonu pohonu zadní výklopné stěny
30 v Vdss
80 A ID
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 55 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
