AEC-Q101, řada: STD MOSFET Typ N-kanálový 55 A 650 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 239-6329
- Výrobní číslo:
- STD86N3LH5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
37 852,50 Kč
(bez DPH)
45 802,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 500 jednotka(y) budou odesílané od 17. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 15,141 Kč | 37 852,50 Kč |
| 5000 + | 14,915 Kč | 37 287,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 239-6329
- Výrobní číslo:
- STD86N3LH5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 55A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | STD | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 45mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 70W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 2.4mm | |
| Normy/schválení | UL | |
| Délka | 6.6mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 55A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada STD | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 45mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 70W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 2.4mm | ||
Normy/schválení UL | ||
Délka 6.6mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics MOSFET zařízení je N-kanál napájení MOSFET vyvinutý pomocí STMicroelectronics’ STripFET H5 technologie. Toto zařízení bylo optimalizováno pro dosažení velmi nízkého odporu ve stavu.
Nízký odpor RDSon
Vysoká lavinová odolnost
Nízké ztráty výkonu pohonu zadní výklopné stěny
30 v Vdss
80 A ID
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 7 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 10 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STD11N60DM2 Typ N-kanálový 10 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STD11N65M2 Typ N-kanálový 7 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M2 MOSFET Typ N-kanálový 4.5 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET Typ N-kanálový 12 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení