MOSFET STD11N65M2 Typ N-kanálový 7 A 650 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 188-8395
- Výrobní číslo:
- STD11N65M2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
188,51 Kč
(bez DPH)
228,095 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 370 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 37,702 Kč | 188,51 Kč |
| 50 - 245 | 33,178 Kč | 165,89 Kč |
| 250 - 495 | 29,634 Kč | 148,17 Kč |
| 500 + | 25,448 Kč | 127,24 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-8395
- Výrobní číslo:
- STD11N65M2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 680mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 85W | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 6.2mm | |
| Výška | 2.17mm | |
| Délka | 6.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 680mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 85W | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 6.2mm | ||
Výška 2.17mm | ||
Délka 6.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tato zařízení jsou N-kanálové výkonové tranzistory MOSFET vyvinuté pomocí technologie MDmesh M2. Díky svému uspořádání pruhů a vylepšené vertikální struktuře vykazují tato zařízení nízkou odolnost vůči nárazům a optimalizované přepínací vlastnosti, které jsou vhodné pro nejnáročnější měniče s vysokou účinností.
Extrémně nízký náboj řídicí elektrody
Vynikající profil s kapacitním výstupem (COSS)
Ochrana Zenerovou diodou
Aplikace
Přepínání aplikací
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 7 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 10 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STD11N60DM2 Typ N-kanálový 10 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET R6507KND3TL1 Typ N-kanálový 7 A 650 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET R6507END3TL1 Typ N-kanálový 7 A 650 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 7 A 710 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M2 MOSFET Typ N-kanálový 4.5 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET Typ N-kanálový 12 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení