AEC-Q101, řada: STD MOSFET STD86N3LH5 Typ N-kanálový 55 A 650 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 239-6330
- Výrobní číslo:
- STD86N3LH5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
204,52 Kč
(bez DPH)
247,47 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 4 885 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 40,904 Kč | 204,52 Kč |
| 50 - 245 | 33,296 Kč | 166,48 Kč |
| 250 - 495 | 25,392 Kč | 126,96 Kč |
| 500 + | 22,526 Kč | 112,63 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 239-6330
- Výrobní číslo:
- STD86N3LH5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 55A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | STD | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 45mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 70W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 6.6mm | |
| Výška | 2.4mm | |
| Normy/schválení | UL | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 55A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada STD | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 45mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 70W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 6.6mm | ||
Výška 2.4mm | ||
Normy/schválení UL | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics MOSFET zařízení je N-kanál napájení MOSFET vyvinutý pomocí STMicroelectronics STripFET H5 technologie. Toto zařízení bylo optimalizováno pro dosažení velmi nízkého odporu ve stavu.
Nízký odpor RDSon
Vysoká lavinová odolnost
Nízké ztráty výkonu pohonu zadní výklopné stěny
30 v Vdss
80 A ID
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STD MOSFET Typ N-kanálový 10 A 480 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 počet kolíků: 4 kolíkový
