řada: SIPMOS® MOSFET BSS126IXTSA1 N-kanálový 21 mA 600 V Infineon, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- Skladové číslo RS:
- 236-4397
- Výrobní číslo:
- BSS126IXTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
4 125,00 Kč
(bez DPH)
4 992,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 05. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,375 Kč | 4 125,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 236-4397
- Výrobní číslo:
- BSS126IXTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 21mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Řada | SIPMOS® | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 700Ω | |
| Režim kanálu | Vyčerpání | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 0.5W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 3mm | |
| Šířka | 1.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 21mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Řada SIPMOS® | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 700Ω | ||
Režim kanálu Vyčerpání | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 0.5W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 3mm | ||
Šířka 1.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon řady SIPMOS®, maximální zdrojové napětí 600 V, maximální ztrátový výkon 0,5 W – BSS126IXTSA1
Tento MOSFET je malosignálový N-kanálový tranzistor s vyčerpávacím režimem navržený pro povrchově namontovanou elektroniku vyžadující vysokonapěťové spínání v kompaktních rozměrech. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je určen pro aplikace s nízkým proudem, kde je upřednostňováno zařízení s vyčerpávacím režimem pro zajištění normálního chování při zapnutí a zjednodušené řízení hradla.
Charakteristiky a výhody:
• Maximální napětí mezi vypouštěním a zdrojem 600 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 21 mA podporuje obvody s nízkou spotřebou
• Maximální odpor mezi vypouštěním a zdrojem 700 Ω omezuje vodivost v zapnutém stavu
• Proudové napětí 1,2 V snižuje pokles napětí v řízených cestách
• Typická hodnota náboje hradla 1.4 nC umožňuje měkkou energii pohonu hradla
• Maximální ztrátový výkon 0,5 W je vhodný pro nízkonapěťové tepelné rozpočty
• Maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 21 mA podporuje obvody s nízkou spotřebou
• Maximální odpor mezi vypouštěním a zdrojem 700 Ω omezuje vodivost v zapnutém stavu
• Proudové napětí 1,2 V snižuje pokles napětí v řízených cestách
• Typická hodnota náboje hradla 1.4 nC umožňuje měkkou energii pohonu hradla
• Maximální ztrátový výkon 0,5 W je vhodný pro nízkonapěťové tepelné rozpočty
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové zkreslovací sítě v analogových provedeních
• Ideální pro nízkoproudové ochranné obvody a odpouštěcí rezistory
• Používá se s ovladači malého signálu vyžadujícími chování v režimu vyčerpání
• Lze použít pro řízení proudu v předních koncích snímačů
• Vhodné pro kompaktní dílčí obvody pro řízení napájení v měničích
• Ideální pro nízkoproudové ochranné obvody a odpouštěcí rezistory
• Používá se s ovladači malého signálu vyžadujícími chování v režimu vyčerpání
• Lze použít pro řízení proudu v předních koncích snímačů
• Vhodné pro kompaktní dílčí obvody pro řízení napájení v měničích
Jaký rozsah napětí hradla lze bezpečně aplikovat?
Pro normální provoz je přípustný potenciál brány ke zdroji až 20 V.
Jaký tepelný rozsah bude zařízení tolerovat během používání?
Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C v různých prostředích.
Jak je součást balena pro montáž na desku plošných spojů?
Dodává se v pouzdru pro povrchovou montáž SOT-23 vhodném pro automatizované umístění.
Jaký mechanický obal by měl být povolen na půdorysu desky plošných spojů?
Pouzdro měří přibližně 3 mm délky, 1.4 mm šířky a 1.1 mm výšky pro plánování pozemků.
Splňuje zařízení klasifikaci pro automobilový průmysl?
Není specifikován jako součást podle automobilového standardu a nelze předpokládat, že splňuje tato kritéria.
Související odkazy
- řada: SIPMOS® MOSFET BSS126IXTSA1 N-kanálový 21 mA 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání
- řada: SIPMOS MOSFET N-kanálový 200 mA 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
