řada: OptiMOS™ MOSFET IPT030N12N3GATMA1 Typ N-kanálový 237 A 120 V Infineon, HSOF-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 236-3670
- Výrobní číslo:
- IPT030N12N3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
303,81 Kč
(bez DPH)
367,61 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 872 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 151,905 Kč | 303,81 Kč |
| 20 - 48 | 136,96 Kč | 273,92 Kč |
| 50 - 98 | 127,45 Kč | 254,90 Kč |
| 100 - 198 | 118,56 Kč | 237,12 Kč |
| 200 + | 110,905 Kč | 221,81 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 236-3670
- Výrobní číslo:
- IPT030N12N3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 237A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 120V | |
| Typ balení | HSOF-8 | |
| Řada | OptiMOS™ | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 158nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.1mm | |
| Šířka | 10.58mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 2.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 237A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 120V | ||
Typ balení HSOF-8 | ||
Řada OptiMOS™ | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 158nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.1mm | ||
Šířka 10.58mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 2.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET Infineon OptiMOS je ideální pro zařízení napájená bateriemi, s optimální rovnováhou mezi dodatečným rozdílem napětí a nízkým odporem ve stavu. Používá se v lehkém elektrickém vozidle, nízkonapěťových pohonech a akumulátorových nástrojích.
Vysoká hustota výkonu a lepší řízení teploty
Méně potřebného místa na desce
Je vyžadována vysoká účinnost systému a méně fázování
Související odkazy
- řada: OptiMOS™ MOSFET IPT030N12N3GATMA1 Typ N-kanálový 237 A 120 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IPT017N12NM6ATMA1 Typ N-kanálový 331 A 120 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS 5 MOSFET IAUT300N10S5N015ATMA1 Typ N-kanálový 300 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IAUTN12S5N017ATMA1 Typ N-kanálový 314 A 120 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IAUTN06S5N008ATMA1 Typ N-kanálový 510 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS 5 MOSFET Typ N-kanálový 300 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 96 A 200 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 5 MOSFET Typ N-kanálový 300 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení