MOSFET STP150N10F7AG N-kanálový 110 A 100 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 235-5446
- Výrobní číslo:
- STP150N10F7AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 250 kusů a ušetřete 384,25 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
3 067,75 Kč
(bez DPH)
3 712,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 450 jednotka(y) budou odesílané od 16. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 50 - 200 | 61,355 Kč | 3 067,75 Kč | - |
| 250 - 450 | 59,818 Kč | 2 990,90 Kč | 384,25 Kč |
| 500 + | 58,164 Kč | 2 908,20 Kč | 1 595,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 235-5446
- Výrobní číslo:
- STP150N10F7AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 110A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.2mΩ | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 127nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 250W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 110A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.2mΩ | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 127nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 250W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
STMicroelectronics N-kanálový výkonový MOSFET využívá technologii STripFET F7 s vylepšenou strukturou příkopu brány, která má za následek velmi nízkou on-state odpor, a zároveň snižuje vnitřní kapacitu a nabíjení brány pro rychlejší a efektivnější přepínání.
Teplota spoje 175 °C.
Standardní úroveň VGS(TH)
Určeno pro použití v automobilovém průmyslu
100% lavinové hodnocení
Aplikace
Přepínání aplikací
Související odkazy
- MOSFET STP150N10F7AG N-kanálový 110 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET H7 MOSFET STF45N10F7 N-kanálový 110 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: DeepGate TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET H7 MOSFET STP110N10F7 N-kanálový 110 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: DeepGate TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET H7 MOSFET N-kanálový 110 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 15 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 9 A 950 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení