řada: STripFET H7 MOSFET Typ N-kanálový 110 A 100 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- RS Stock No.:
- 103-2007
- Mfr. Part No.:
- STP110N10F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Bulk discount available
Subtotal (1 tube of 50 kusech)*
1 940,20 Kč
(exc. VAT)
2 347,65 Kč
(inc. VAT)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 700 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Units | Per unit | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 38,804 Kč | 1 940,20 Kč |
| 100 - 200 | 37,796 Kč | 1 889,80 Kč |
| 250 + | 36,862 Kč | 1 843,10 Kč |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 103-2007
- Mfr. Part No.:
- STP110N10F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 110A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | STripFET H7 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 7mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 15.75mm | |
| Šířka | 4.6 mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 110A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada STripFET H7 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 7mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 15.75mm | ||
Šířka 4.6 mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.