řada: STP Výkonový MOSFET STP100N8F6 N-kanálový 100 A 80 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 719-658
- Výrobní číslo:
- STP100N8F6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 48%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
49,89 Kč
(bez DPH)
60,37 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 1 023 jednotka(y) budou odesílané od 27. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 49,89 Kč | - |
| 10 - 99 | 25,69 Kč | 48% |
| 100 - 499 | 20,50 Kč | 58% |
| 500 - 999 | 16,30 Kč | 67% |
| 1000 + | 14,57 Kč | 70% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 719-658
- Výrobní číslo:
- STP100N8F6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | STP | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.009Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 176W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 10.4mm | |
| Výška | 4.6mm | |
| Délka | 15.75mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada STP | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.009Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 176W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 10.4mm | ||
Výška 4.6mm | ||
Délka 15.75mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-kanálový výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics byl vyvinut pomocí technologie STripFETTM F6 s novou konstrukcí hradla. Výsledný výkonový MOSFET vykazuje ve všech pouzdrech velmi nízký RDS(on).
Velmi nízký odpor při zapnutí
Velmi nízké nabíjení hradla
Vysoká lavinová odolnost
Nízké ztráty výkonu hradla
Související odkazy
- řada: STP MOSFET STP80N600K6 N-kanálový 7 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP MOSFET STP80N900K6 N-kanálový 6 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP MOSFET STP80N340K6 N-kanálový 12 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STL190N8F8 N-kanálový 220 A 80 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový Režim vylepšení