řada: STP Výkonový MOSFET STP100N8F6 N kanál-kanálový 100 A 80 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 719-658
- Výrobní číslo:
- STP100N8F6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Mezisoučet (1 jednotka)*
21,00 Kč
(bez DPH)
25,41 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 435 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 + | 21,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 719-658
- Výrobní číslo:
- STP100N8F6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N kanál | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | STP | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.009Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 176W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 4.6mm | |
| Délka | 15.75mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N kanál | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada STP | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.009Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 176W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 4.6mm | ||
Délka 15.75mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-kanálový výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics byl vyvinut pomocí technologie STripFETTM F6 s novou konstrukcí hradla. Výsledný výkonový MOSFET vykazuje ve všech pouzdrech velmi nízký RDS(on).
Velmi nízký odpor při zapnutí
Velmi nízké nabíjení hradla
Vysoká lavinová odolnost
Nízké ztráty výkonu hradla
Související odkazy
- řada: STP MOSFET STP80N600K6 Typ N-kanálový 7 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP MOSFET STP80N900K6 Typ N-kanálový 6 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP MOSFET STP80N340K6 Typ N-kanálový 12 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP Výkonový MOSFET STD70N10F4 N kanál-kanálový 60 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 2 kolíkový