řada: STP Výkonový MOSFET STP100N8F6 N kanál-kanálový 100 A 80 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 719-658
- Výrobní číslo:
- STP100N8F6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
54,83 Kč
(bez DPH)
66,34 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 244 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 300 jednotka(y) budou odesílané od 31. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 54,83 Kč |
| 10 - 99 | 27,17 Kč |
| 100 - 499 | 23,71 Kč |
| 500 - 999 | 19,02 Kč |
| 1000 + | 17,29 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 719-658
- Výrobní číslo:
- STP100N8F6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N kanál | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Řada | STP | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.009Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 176W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 4.6mm | |
| Délka | 15.75mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N kanál | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Řada STP | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.009Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 176W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 4.6mm | ||
Délka 15.75mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-kanálový výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics byl vyvinut pomocí technologie STripFETTM F6 s novou konstrukcí hradla. Výsledný výkonový MOSFET vykazuje ve všech pouzdrech velmi nízký RDS(on).
Velmi nízký odpor při zapnutí
Velmi nízké nabíjení hradla
Vysoká lavinová odolnost
Nízké ztráty výkonu hradla
Související odkazy
- řada: STP MOSFET STP80N340K6 Typ N-kanálový 12 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP MOSFET STP80N600K6 Typ N-kanálový 7 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP MOSFET STP80N900K6 Typ N-kanálový 6 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP Výkonový MOSFET STD70N10F4 N kanál-kanálový 60 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 2 kolíkový