řada: STP Výkonový MOSFET STD70N10F4 N-kanálový 60 A 100 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 2 kolíkový

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

62,00 Kč

(bez DPH)

75,02 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Výroba končí
  • Posledních 210 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks
za jednotku
1 - 962,00 Kč
10 - 9937,30 Kč
100 - 49928,65 Kč
500 - 99924,70 Kč
1000 +21,74 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
719-650
Výrobní číslo:
STD70N10F4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

60A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

TO-252

Řada

STP

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

2

Maximální odpor zdroje Rds

0.0195Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Přímé napětí Vf

1.5V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

85nC

Maximální ztrátový výkon Pd

125W

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

2.4mm

Šířka

6.6mm

Délka

6.2mm

Technologie STripFETTM DeepGATETM Power MOSFET společnosti STMicroelectronics je jedním z nejnovějších vylepšení, která byla speciálně přizpůsobena pro minimalizaci odporu v zapnutém stavu, s novou strukturou hradla, která zajišťuje vynikající spínací výkon.

Výjimečná schopnost dv/dt

Mimořádně nízký odpor při zapnutí RDS(on)

100% lavinový test

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.