řada: STP Výkonový MOSFET STD70N10F4 N kanál-kanálový 60 A 100 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 2 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 719-650
- Výrobní číslo:
- STD70N10F4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
62,00 Kč
(bez DPH)
75,02 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 215 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 62,00 Kč |
| 10 - 99 | 37,30 Kč |
| 100 - 499 | 28,65 Kč |
| 500 - 999 | 24,70 Kč |
| 1000 + | 21,74 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 719-650
- Výrobní číslo:
- STD70N10F4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N kanál | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 60A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | STP | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 2 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0195Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 85nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 2.4mm | |
| Šířka | 6.6mm | |
| Délka | 6.2mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N kanál | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada STP | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 2 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0195Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 85nC | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 2.4mm | ||
Šířka 6.6mm | ||
Délka 6.2mm | ||
Technologie STripFETTM DeepGATETM Power MOSFET společnosti STMicroelectronics je jedním z nejnovějších vylepšení, která byla speciálně přizpůsobena pro minimalizaci odporu v zapnutém stavu, s novou strukturou hradla, která zajišťuje vynikající spínací výkon.
Výjimečná schopnost dv/dt
Mimořádně nízký odpor při zapnutí RDS(on)
100% lavinový test
Související odkazy
- řada: STripFET II MOSFET STD60NF06T4 Typ N-kanálový 60 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET II MOSFET Typ N-kanálový 60 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP Výkonový MOSFET STP100N8F6 N kanál-kanálový 100 A 80 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET MOSFET STD20NF06LT4 Typ N-kanálový 24 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET MOSFET STD20NF06T4 Typ N-kanálový 24 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET MOSFET STD16NF06T4 Typ N-kanálový 16 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET MOSFET STD30NF06LT4 Typ N-kanálový 35 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET MOSFET STD35NF06T4 Typ N-kanálový 35 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
