řada: SUPERFET III MOSFET NTPF165N65S3H N-kanálový 19 A 650 V onsemi, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 229-6495
- Výrobní číslo:
- NTPF165N65S3H
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (2 jednotky/-ek, v balení po 2 ks)*
221,81 Kč
(bez DPH)
268,39 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 14. července 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 110,905 Kč | 221,81 Kč |
| 20 - 198 | 95,465 Kč | 190,93 Kč |
| 200 + | 82,87 Kč | 165,74 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 229-6495
- Výrobní číslo:
- NTPF165N65S3H
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 19A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | SUPERFET III | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 165mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 33W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 4.9mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.63mm | |
| Výška | 29.95mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 19A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada SUPERFET III | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 165mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 33W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 4.9mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.63mm | ||
Výška 29.95mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
ŘADA ON Semiconductor SUPER FET je zbrusu nový vysokonapěťový superjunction MOSFET, který využívá technologii vyrovnávání náboje pro vynikající nízký odpor a nižší výkon nabíjení hradla. Tato technologie Advanced je navržena tak, aby minimalizovala ztráty vedení, poskytuje vynikající spínací výkon a vydržela extrémní rychlost dv/dt.
Nízká účinná výstupní kapacita
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Vyšší spolehlivost systému při provozu při nízkých teplotách
Bez PB
Vyhovuje RoHS
Související odkazy
- řada: SUPERFET III MOSFET N-kanálový 19 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: SUPERFET III Výkonový MOSFET N-kanálový 19 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SUPERFET III Výkonový MOSFET FCP165N65S3 N-kanálový 19 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SUPERFET III MOSFET N-kanálový 10 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: SUPERFET III MOSFET N-kanálový 13 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: SUPERFET III MOSFET N-kanálový 16 A 650 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: SUPERFET III MOSFET N-kanálový 30 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: SUPERFET III MOSFET N-kanálový 13 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový N