řada: SUPERFET III Výkonový MOSFET FCP165N65S3 N-kanálový 19 A 650 V onsemi, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 178-4676
- Výrobní číslo:
- FCP165N65S3
- Výrobce:
- onsemi
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
166,82 Kč
(bez DPH)
201,85 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 685 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 + | 33,364 Kč | 166,82 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 178-4676
- Výrobní číslo:
- FCP165N65S3
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 19A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | SUPERFET III | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 165mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 154W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS, Pb-Free, Halide Free | |
| Šířka | 4.7mm | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 16.3mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 19A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada SUPERFET III | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 165mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 154W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS, Pb-Free, Halide Free | ||
Šířka 4.7mm | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 16.3mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
700 V @ TJ = 150 °C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 39 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 341 pF)
Internal Gate Resistance: 4.6 Ω
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 140 mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Computing
Consumer
Industrial
End Products:
Notebook / Desktop computer
Game Console
Telecom / Server
LCD / LED TV
LED Lighting / Ballast
Adapter
Související odkazy
- řada: SUPERFET III Výkonový MOSFET N-kanálový 19 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SUPERFET III MOSFET N-kanálový 19 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: SUPERFET III MOSFET N-kanálový 62 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SUPERFET III MOSFET NTPF165N65S3H N-kanálový 19 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: SUPERFET III MOSFET NTH4LN040N65S3H N-kanálový 62 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SUPERFET III MOSFET + Dioda N-kanálový 24 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SUPERFET III MOSFET N-kanálový 10 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: SUPERFET III MOSFET N-kanálový 13 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový N