řada: SUPERFET III Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 19 A 650 V onsemi, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

1 669,25 Kč

(bez DPH)

2 019,80 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 650 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
za tubu*
50 +33,385 Kč1 669,25 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
178-4243
Výrobní číslo:
FCP165N65S3
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

19A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

TO-220

Řada

SUPERFET III

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

165mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.2V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

39nC

Maximální ztrátový výkon Pd

154W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS, Pb-Free, Halide Free

Výška

16.3mm

Délka

10.67mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 39 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 341 pF)

Internal Gate Resistance: 4.6 Ω

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 140 mΩ

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Lower switching loss

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Computing

Consumer

Industrial

End Products:

Notebook / Desktop computer

Game Console

Telecom / Server

LCD / LED TV

LED Lighting / Ballast

Adapter

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.