řada: SiC Power MOSFET NTBGS004N10G N-kanálový 203 A 100 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 229-6446
- Výrobní číslo:
- NTBGS004N10G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
327,28 Kč
(bez DPH)
396,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 08. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 163,64 Kč | 327,28 Kč |
| 20 - 198 | 140,915 Kč | 281,83 Kč |
| 200 + | 122,39 Kč | 244,78 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 229-6446
- Výrobní číslo:
- NTBGS004N10G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 203A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | SiC Power | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 178nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 240W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.7mm | |
| Výška | 9.4mm | |
| Délka | 10.2mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 203A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada SiC Power | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 178nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 240W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.7mm | ||
Výška 9.4mm | ||
Délka 10.2mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
VÝKONOVÝ MOSFET ON Semiconductor má robustní technologii pro maximální spolehlivost. Je speciálně navržen pro široké aplikace SOA z 48V sběrnice.
Hot swap tolerantní s vynikající SOA křivky
Vyhovuje SMĚRNICI ROHS
Snižuje ztráty vedení
Související odkazy
- řada: SiC Power MOSFET Typ N-kanálový 203 A 100 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: SiC Power MOSFET Typ N-kanálový 145 A 650 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový N
- řada: SiC Power MOSFET Typ N-kanálový 62 A 650 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový N
- řada: SiC Power MOSFET NTBG015N065SC1 Typ N-kanálový 145 A 650 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový N
- řada: SiC Power MOSFET NTBG045N065SC1 Typ N-kanálový 62 A 650 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový N
- Napájecí modul SiC Typ N-kanálový 36 A 12 V Littelfuse počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Napájecí modul SiC IXFA36N60X3 Typ N-kanálový 36 A 12 V Littelfuse počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMFS6H800N MOSFET Typ N-kanálový 203 A 80 V onsemi počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení