řada: SiC Power MOSFET NTBG045N065SC1 Typ N-kanálový 62 A 650 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 229-6444
- Výrobní číslo:
- NTBG045N065SC1
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
282,57 Kč
(bez DPH)
341,91 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 728 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 282,57 Kč |
| 10 - 99 | 243,30 Kč |
| 100 - 499 | 210,94 Kč |
| 500 + | 185,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 229-6444
- Výrobní číslo:
- NTBG045N065SC1
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 62A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | SiC Power | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 50mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Přímé napětí Vf | 4.8V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 105nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 242W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.2mm | |
| Šířka | 4.7 mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 9.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 62A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada SiC Power | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 50mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Přímé napětí Vf 4.8V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 105nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 242W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.2mm | ||
Šířka 4.7 mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 9.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET ŘADY ON Semiconductor SIC Power využívá zcela novou technologii, která poskytuje vynikající spínací výkon a vyšší spolehlivost ve srovnání s křemíkem. Kromě toho nízký ODPOR a kompaktní velikost čipu zajišťují nízkou kapacitu a nabíjení hradla.
Nejvyšší účinnost
Rychlejší provozní frekvence
Zvýšená hustota výkonu
Snížení EMI
Menší velikost systému