Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	145A
	Maximální napětí na zdroji Vds	650V
	Typ balení	TO-263
	Řada	SiC Power
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	7
	Maximální odpor zdroje Rds	18mΩ
	Režim kanálu	N
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	22 V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	500W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	283nC
	Přímé napětí Vf	4.8V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Délka	10.2mm
	Normy/schválení	No
	Výška	9.4mm
	Šířka	4.7 mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 145A
	Maximální napětí na zdroji Vds 650V
	Typ balení TO-263
	Řada SiC Power
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 7
	Maximální odpor zdroje Rds 18mΩ
	Režim kanálu N
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 22 V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 500W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 283nC
	Přímé napětí Vf 4.8V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Délka 10.2mm
	Normy/schválení No
	Výška 9.4mm
	Šířka 4.7 mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - NTBG015N065SC1

MOSFET ŘADY ON Semiconductor SIC Power využívá zcela novou technologii, která poskytuje vynikající spínací výkon a vyšší spolehlivost ve srovnání s křemíkem. Kromě toho nízký ODPOR a kompaktní velikost čipu zajišťují nízkou kapacitu a nabíjení hradla.

Nejvyšší účinnost

Rychlejší provozní frekvence

Zvýšená hustota výkonu

Snížení EMI

Menší velikost systému

řada: SiC Power MOSFET Typ N-kanálový 145 A 650 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový N

Související odkazy