AEC-Q101, řada: AUIRF MOSFET AUIRF8739L2TR N-kanálový 545 A 40 V Infineon, DirectFET, počet kolíků: 15 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 229-1738
- Výrobní číslo:
- AUIRF8739L2TR
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (2 jednotky/-ek, v balení po 2 ks)*
377,42 Kč
(bez DPH)
456,68 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 920 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 188,71 Kč | 377,42 Kč |
| 10 - 18 | 169,815 Kč | 339,63 Kč |
| 20 - 48 | 160,305 Kč | 320,61 Kč |
| 50 - 98 | 149,065 Kč | 298,13 Kč |
| 100 + | 137,825 Kč | 275,65 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 229-1738
- Výrobní číslo:
- AUIRF8739L2TR
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 545A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | DirectFET | |
| Řada | AUIRF | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 15 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 340W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 375nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 40V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 9.15mm | |
| Šířka | 7.1mm | |
| Výška | 740μm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 545A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení DirectFET | ||
Řada AUIRF | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 15 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 340W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 375nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 40V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 9.15mm | ||
Šířka 7.1mm | ||
Výška 740μm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon jednokanálový HEXFET výkonový MOSFET v balíčku DirectFET L8 umožňuje opakovanou lavinu až Tjmax. Má rychlou spínací rychlost a je bezolovnaté.
Splňuje požadavky RoHS a certifikace AEC
Má provozní teplotu 175 °C.
Má oboustranné chlazení
Související odkazy
- AEC-Q101 DirectFET, počet kolíků: 15 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: DirectFET DirectFET, počet kolíků: 15 kolíkový
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: DirectFET DirectFET, počet kolíků: 15 kolíkový Vylepšení
