AEC-Q101, řada: AUIRF MOSFET AUIRF3205ZSTRL N-kanálový 110 A 55 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 229-1729
- Výrobní číslo:
- AUIRF3205ZSTRL
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (5 jednotky/-ek, v balení po 5 ks)*
250,21 Kč
(bez DPH)
302,76 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 26. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 50,042 Kč | 250,21 Kč |
| 25 - 45 | 44,51 Kč | 222,55 Kč |
| 50 - 120 | 42,088 Kč | 210,44 Kč |
| 125 - 245 | 39,076 Kč | 195,38 Kč |
| 250 + | 36,062 Kč | 180,31 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 229-1729
- Výrobní číslo:
- AUIRF3205ZSTRL
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 110A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | AUIRF | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 6.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 170W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 9.65mm | |
| Výška | 4.83mm | |
| Délka | 10.67mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 110A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada AUIRF | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 6.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 170W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 9.65mm | ||
Výška 4.83mm | ||
Délka 10.67mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonový MOSFET Infineon využívá nejnovější techniky zpracování k dosažení extrémně nízké odolnosti vůči křemíku. Dalšími vlastnostmi tohoto designu jsou provozní teplota 175°C, rychlá spínací rychlost a zlepšená opakovaná lavinová zatížitelnost. Tyto funkce se kombinují, aby se tento design učinil mimořádně účinným a spolehlivým zařízením pro použití v automobilovém průmyslu a pro širokou škálu dalších aplikací.
Splňuje požadavky RoHS a certifikace AEC Q101
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 DirectFET, počet kolíků: 15 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 110 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF3205STRLPBF N-kanálový 110 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení