řada: HEXFET MOSFET IRF3205STRLPBF Typ N-kanálový 110 A 55 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

331,97 Kč

(bez DPH)

401,68 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 10 jednotka(y) budou odesílané od 30. března 2026
  • Plus 100 jednotka(y) budou odesílané od 30. března 2026
  • Plus 800 jednotka(y) budou odesílané od 24. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
10 - 4033,197 Kč331,97 Kč
50 - 9026,231 Kč262,31 Kč
100 - 24024,577 Kč245,77 Kč
250 - 49022,946 Kč229,46 Kč
500 +21,291 Kč212,91 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
831-2809
Výrobní číslo:
IRF3205STRLPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

110A

Maximální napětí na zdroji Vds

55V

Řada

HEXFET

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

8mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

200W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

146nC

Přímé napětí Vf

1.3V

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

10.67mm

Normy/schválení

No

Výška

4.83mm

Šířka

9.65 mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

N-kanálový výkon MOSFET 55 V, Infineon


Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

Tranzistory MOSFET, Infineon


Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

Související odkazy