AEC-Q101, řada: AUIRF MOSFET AUIRFR5410TRL Typ P-kanálový 13 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 229-1742
- Výrobní číslo:
- AUIRFR5410TRL
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
327,03 Kč
(bez DPH)
395,71 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 230 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 65,406 Kč | 327,03 Kč |
| 25 - 45 | 57,552 Kč | 287,76 Kč |
| 50 - 120 | 54,29 Kč | 271,45 Kč |
| 125 - 245 | 50,338 Kč | 251,69 Kč |
| 250 + | 46,436 Kč | 232,18 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 229-1742
- Výrobní číslo:
- AUIRFR5410TRL
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | AUIRF | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 205mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | -1.6V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 66W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 6.73mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.22mm | |
| Výška | 2.39mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada AUIRF | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 205mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf -1.6V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 66W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 6.73mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.22mm | ||
Výška 2.39mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon p kanál MOSFET využívá nejnovější techniky zpracování k dosažení nízkého odporu na křemíkové oblasti. Tato výhoda v kombinaci s vysokou rychlostí přepínání a robustní konstrukce zařízení, které HEXFET energie jsou dobře známé, poskytuje návrháři velmi efektivní a spolehlivé zařízení pro použití v automobilovém průmyslu a širokou škálu dalších aplikací.
Je bez olova
Vyhovuje směrnici RoHS
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový P
- AEC-Q101 DirectFET, počet kolíků: 15 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový P