řada: TrenchFET MOSFET SiR500DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 350.8 A 30 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

270,22 Kč

(bez DPH)

326,965 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 2 215 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4554,044 Kč270,22 Kč
50 - 12045,892 Kč229,46 Kč
125 - 24543,226 Kč216,13 Kč
250 - 49540,606 Kč203,03 Kč
500 +27,022 Kč135,11 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
228-2902
Výrobní číslo:
SiR500DP-T1-RE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

350.8A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

SO-8

Řada

TrenchFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.47mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

104.1W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

120nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

16 V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Vishay TrenchFET N-kanál je 30 v MOSFET.

Testováno 100 % RG a UIS

Související odkazy