řada: E Výkonový MOSFET SIHP5N80AE-GE3 Typ N-kanálový 4.4 A 800 V Vishay, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový

Skladové číslo RS:: 225-9918
Výrobní číslo:: SIHP5N80AE-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: E Výkonový MOSFET SIHP5N80AE-GE3 Typ N-kanálový 4.4 A 800 V Vishay, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

961,50 Kč

(bez DPH)

1 163,50 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

1 050 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
50 +	19,23 Kč	961,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 225-9918
Výrobní číslo:: SIHP5N80AE-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	4.4A
	Maximální napětí na zdroji Vds	800V
	Řada	E
	Typ balení	JEDEC TO-220AB
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	1.35Ω
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	16.5nC
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální ztrátový výkon Pd	62.5W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	10.52mm
	Normy/schválení	RoHS
	Šířka	4.65mm
	Výška	15.85mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.4A
	Maximální napětí na zdroji Vds 800V
	Řada E
	Typ balení JEDEC TO-220AB
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 1.35Ω
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 16.5nC
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální ztrátový výkon Pd 62.5W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 10.52mm
	Normy/schválení RoHS
	Šířka 4.65mm
	Výška 15.85mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SIHP5N80AE-GE3

Výkonový MOSFET Vishay řady E, napětí zdroje vypouštění 800 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 4,4 A – SIHP5N80AE-GE3

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový spínací tranzistor navržený pro použití v napájecích převodech a řídicích systémech. Funguje jako zařízení s N-kanálem schopné zvládnout zvýšená napětí odtoku-zdroje, určené pro aplikace pro povrchovou montáž, kde je vyžadován robustní tepelný a elektrický výkon.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitá hodnota drain-zdroj 800 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• nepřetržitý vypouštěcí proud 4,4 A umožňuje manipulaci s mírnou zátěží
• Rds(on) 1,35 Ω snižuje ztráty při vedení při provozním proudu
• Rozptýlení výkonu 62,5 W podporuje trvalé cyklické napájení
• Tolerance hradla 30 V umožňuje široké rozpětí pohonu hradla
• typické nabíjení hradla 16,5 nC pomáhá předvídat spínací chování

Aplikace

• Vhodné pro spínané napájecí zdroje, které manipulují s vysokými stejnosměrnými lištami
• Ideální pro spínací stupně průmyslového motorového pohonu na předním konci
• Používá se pro vysokonapěťové tlumicí nebo svorkové obvody v napájecích systémech
• Lze použít pro izolované spínače zvyšujícího měniče v automatizaci

V jakém tepelném rozsahu může zařízení pracovat?

Funguje v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v širokém rozsahu okolních teplot.

Jaká je montáž pro montáž na desku plošných spojů?

Pouzdro je typu TO-220AB pro povrchovou montáž se třemi kolíky pro možnosti upevnění do průchozí desky nebo chladiče.

Jaké úvahy o pohonu hradla bych měl vzít v úvahu?

Jmenovité napětí zdroje hradla je 30 V, takže ovladače hradla by měly omezit výkyvy v rámci této prahové hodnoty, aby se zabránilo poškození.

Jak velký je typický energetický dopad pohonu hradla?

Zařízení vykazuje typický náboj hradla 16,5 nC, který informuje o výpočtech velikosti budiče a spínacích ztrát.