řada: E Výkonový MOSFET SIHP5N80AE-GE3 N-kanálový 4.4 A 800 V Vishay, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový

Skladové číslo RS:: 225-9918
Výrobní číslo:: SIHP5N80AE-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: E Výkonový MOSFET SIHP5N80AE-GE3 N-kanálový 4.4 A 800 V Vishay, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

961,50 Kč

(bez DPH)

1 163,50 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Poslední zásoby RS

Posledních 1 050 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks	za jednotku	za tubu*
50 +	19,23 Kč	961,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 225-9918
Výrobní číslo:: SIHP5N80AE-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	4.4A
	Maximální napětí na zdroji Vds	800V
	Typ balení	JEDEC TO-220AB
	Řada	E
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	1.35Ω
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	16.5nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	62.5W
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Šířka	4.65mm
	Normy/schválení	RoHS
	Výška	15.85mm
	Délka	10.52mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu N
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.4A
	Maximální napětí na zdroji Vds 800V
	Typ balení JEDEC TO-220AB
	Řada E
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 1.35Ω
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 16.5nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 62.5W
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Šířka 4.65mm
	Normy/schválení RoHS
	Výška 15.85mm
	Délka 10.52mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SIHP5N80AE-GE3

Výkonový tranzistor MOSFET Vishay řady E, napětí drain source 800 V, maximální ztrátový výkon 62,5 W – SIHP5N80AE-GE3

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor navržený pro spínání a převod výkonu v průmyslových prostředích. Pracuje v širokém rozsahu okolních teplot a je dodáván v pouzdru TO-220AB pro konvenční montáž. Zařízení podporuje vysoké požadavky na odvod napětí zdroje a zároveň poskytuje střední schopnost stejnosměrného proudu a je určeno pro aplikace pro povrchovou montáž v zařízeních, které vyžadují součásti v souladu s RoHS.

Charakteristiky a výhody:

• Kapacita vypouštění 800 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• stejnosměrný proud 4.4 A pro středně vysoké zatížení
• Rds(on) 1,35 Ω minimalizuje ztráty při vedení při zátěži
• Maximální rozptyl 62,5 W podporuje vyšší výkon
• Typické náboje hradla 16.5 nC umožňuje rychlejší přechod k hradlu
• Tolerance hradla ±30 V umožňuje flexibilní napětí

Aplikace

• Vhodné pro vysokonapěťové napájecí zdroje a měniče
• Ideální pro průmyslové spínané napájení
• Používá se s pohony motorů vyžadujícími robustní rozpětí napětí
• Lze použít pro tlumicí a svorkové obvody v systémech HV
• Vhodné pro laboratorní testovací zařízení s vysokým napětím

Jaké tepelné extrémy dokáže během provozu odolat?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v průmyslových podmínkách při studeném startu i při vysokých teplotách.

Jaké pouzdro a montážní metodu používá pro implementaci PCB?

Dodává se v pouzdru TO-220AB a je určen pro montáž na povrch, což usnadňuje průchozí chladič na sestavách.

Kolik připojovacích kolíků je k dispozici a jaký je typ polarity?

Zařízení má tři kolíky a používá typ N-kanálu s typickými funkcemi kolíků MOSFET pro hradlo, drain a zdroj.

Existují omezení napětí pohonu hradla, aby se zabránilo poškození?

Napětí zdroje brány nesmí překročit 30 V, aby se zabránilo přetížení brány během jízdy.