AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 20 A 60 V, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Duální

Skladové číslo RS:: 223-8521
Výrobní číslo:: IPG20N06S4L26AATMA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 20 A 60 V, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Duální

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

57 205,00 Kč

(bez DPH)

69 220,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 11. ledna 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
5000 +	11,441 Kč	57 205,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 223-8521
Výrobní číslo:: IPG20N06S4L26AATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	20A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Řada	OptiMOS
	Typ balení	TDSON
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	26mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Maximální ztrátový výkon Pd	33W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	16V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	15nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Konfigurace tranzistoru	Duální
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	RoHS
	Výška	1mm
	Délka	5.15mm
	Šířka	5.9mm
	Počet prvků na čip	2
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 20A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Řada OptiMOS
	Typ balení TDSON
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 26mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Maximální ztrátový výkon Pd 33W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 16V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 15nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Konfigurace tranzistoru Duální
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení RoHS
	Výška 1mm
	Délka 5.15mm
	Šířka 5.9mm
	Počet prvků na čip 2
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IPG20N06S4L26AATMA1

MOSFET Infineon řady OptiMOS, maximální zdrojové napětí vypouštění 60 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 20 A – IPG20N06S4L26AATMA1

Tento MOSFET je dvojitý N-kanálový tranzistor pro povrchovou montáž navržený pro spínání a řízení napájení v náročných prostředích. Kombinuje nízké ztráty při vedení se skromnými požadavky na pohon hradla pro podporu aplikací s vysokým proudem v automobilových a průmyslových systémech, kde je důležitá teplotní tolerance a kompaktní balení.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý vypouštěcí proud 60 V umožňuje spínání při středním napětí
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 20 A podporuje značné zátěžové proudy
• Rds(on) 26 mΩ snižuje ztráty při vedení během provozu
• Typické náboje hradla 15 nC minimalizuje energii pohonu hradla
• Maximální ztrátový výkon 33 W umožňuje výraznou manipulaci s teplem
• Maximální ochrana hradla-zdroje 16 V zachovává integritu hradla

Aplikace

• Vhodné pro automobilové výkonové stupně vyžadující certifikaci AEC-Q101
• Používá se pro měniče DC/DC v systémech vozidel
• Ideální pro polomůstkové obvody motorových pohonů na kompaktních deskách
• Lze použít pro spínání vysokoproudých zátěží v průmyslovém řízení
• Používá se s konstrukcemi pro řízení teploty při zvýšených provozních teplotách

Jaký typ pouzdra se používá pro implementaci kompaktních desek plošných spojů?

Dodává se v 8kolíkovém pouzdru TDSON vhodném pro povrchovou montáž.

Jak dobře zvládá vysoké okolní teploty?

Zařízení je určeno pro provoz při maximální provozní teplotě až 175 °C.

Jaké ochranné limity existují pro hradlovou elektrodu?

Výkyvy hradla jsou omezeny maximálním napětím zdroje hradla 16 V.

Kolik tranzistorových prvků je přítomno na čipu?

V dvojité konfiguraci jsou dva prvky na čip.

Jaké normy v oblasti životního prostředí nebo materiálů splňuje?

Součást má schválení RoHS pro soulad s omezenými látkami.