AEC-Q101, řada: OptiMOS Pole MOSFET Typ N-kanálový 20 A 60 V, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

47 720,00 Kč

(bez DPH)

57 740,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 5 000 jednotka(y) budou odesílané od 20. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
5000 +9,544 Kč47 720,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
223-8521
Výrobní číslo:
IPG20N06S4L26AATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

Pole MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

20A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

OptiMOS

Typ balení

TDSON

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

26mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

15nC

Přímé napětí Vf

1.3V

Maximální ztrátový výkon Pd

33W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Konfigurace tranzistoru

Duální

Normy/schválení

RoHS

Délka

5.15mm

Výška

1mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

AEC-Q101

Duální N-kanálový MOSFET řady Infineon OptMOS má odtok na zdrojové napětí 60 V. Má výhody většího připojení zdrojového vodiče pro drátové spojení a vazný drát je 200um pro proud až 20A.

Certifikace AEC Q101 pro automobilový průmysl

• MSL1 až do 260°C Peak reflow

• 175°C provozní teplota

• zelený balíček

• Ultra nízká RDS

• 100% Avalanche testováno

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.