AEC-Q101, řada: OptiMOS 5 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 100 A 40 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 220-7399
- Výrobní číslo:
- IPC100N04S5L1R1ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 220-7399
- Výrobní číslo:
- IPC100N04S5L1R1ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET + Dioda | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | OptiMOS 5 | |
| Typ balení | TDSON | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150W | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 105nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 5.25mm | |
| Výška | 1.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET + Dioda | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada OptiMOS 5 | ||
Typ balení TDSON | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150W | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 105nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 5.25mm | ||
Výška 1.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon nabízí širokou škálu 20V-40V N-kanálových výkonových tranzistorů MOSFET s kvalifikací pro automobilový průmysl, které využívají novou technologii OptiMOS v řadě balíčků, aby splňovaly celou řadu potřeb a dosáhly RDS(ON) až 0,6m.Nová technologie OptimOS 6 a Optimos5 40V benchmark MOSFET umožňuje nízké ztráty vedení (Nejlepší výkon ve třídě RDSon), nízké ztráty při spínání (lepší chování při spínání), vylepšené obnovení diod a chování EMC. Tato technologie MOSFET se používá ve většině Advanced a inovativních balíčků, aby bylo dosaženo nejlepšího výkonu a kvality výrobků. Pro maximální konstrukční flexibilitu jsou MOSFETy s kvalifikací pro automobilový průmysl k dispozici v různých baleních, která splňují celou řadu potřeb. Společnost Infineon nabízí zákazníkům stálý proud zlepšení aktuálních schopností, chování při přepínání, spolehlivosti, velikosti balení a celkové kvality. Nově vyvinutý integrovaný Half-bridge je inovativní a nákladově efektivní řešení pro aplikace motorových pohonů a karoserií.
OptMOS™ - výkonový MOSFET pro automobilové aplikace
N-channel – Režim vylepšování – logická úroveň
MSL1 až 260°C Peak přetavení
Provozní teplota 175 °C
Související odkazy
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení Duální
- řada: OptiMOS MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 16 A 300 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 137 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení