AEC-Q101, řada: OptiMOS Pole MOSFET IPG20N06S4L26AATMA1 Typ N-kanálový 20 A 60 V, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 15 kusech)*

403,605 Kč

(bez DPH)

488,355 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 30 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
15 - 6026,907 Kč403,61 Kč
75 - 13525,556 Kč383,34 Kč
150 - 36025,029 Kč375,44 Kč
375 - 73523,432 Kč351,48 Kč
750 +21,802 Kč327,03 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
223-8523
Výrobní číslo:
IPG20N06S4L26AATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

Pole MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

20A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

TDSON

Řada

OptiMOS

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

26mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

15nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

16V

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.3V

Maximální ztrátový výkon Pd

33W

Maximální provozní teplota

175°C

Konfigurace tranzistoru

Duální

Šířka

5.9mm

Výška

1mm

Délka

5.15mm

Normy/schválení

RoHS

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

AEC-Q101

Duální N-kanálový MOSFET řady Infineon OptMOS má odtok na zdrojové napětí 60 V. Má výhody většího připojení zdrojového vodiče pro drátové spojení a vazný drát je 200um pro proud až 20A.

Certifikace AEC Q101 pro automobilový průmysl

• MSL1 až do 260°C Peak reflow

• 175°C provozní teplota

• zelený balíček

• Ultra nízká RDS

• 100% Avalanche testováno

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.