MOSFET UT6JC5TCR Typ P-kanálový 2.5 A 60 V, DFN, počet kolíků: 7 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- Skladové číslo RS:
- 223-6398
- Výrobní číslo:
- UT6JC5TCR
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
237,85 Kč
(bez DPH)
287,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 30. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 9,514 Kč | 237,85 Kč |
| 50 - 75 | 9,327 Kč | 233,18 Kč |
| 100 - 225 | 6,649 Kč | 166,23 Kč |
| 250 - 975 | 6,521 Kč | 163,03 Kč |
| 1000 + | 5,592 Kč | 139,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 223-6398
- Výrobní číslo:
- UT6JC5TCR
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | DFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.8Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 2mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 0.65mm | |
| Délka | 2mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení DFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.8Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 2mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 0.65mm | ||
Délka 2mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Malý signálový MOSFET ROHM má typ DFN1010-3W. Používá se hlavně pro spínací obvody, spínač zátěže na vysoké straně a budič relé.
Velmi malá a odkrytá vypouštěcí podložka pro vynikající vedení tepla v pouzdru z plastu SMD
Boční mokřadní boky pro automatizovanou optickou kontrolu pájky
Certifikát podle normy AEC-Q101
Související odkazy
- MOSFET UT6JC5TCR Typ P-kanálový 2.5 A 60 V počet kolíků: 7 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET UT6JB5TCR Typ P-kanálový 3.5 A 40 V počet kolíků: 7 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET Typ N DFN, počet kolíků: 9 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET HS8MA2TCR1 Typ N DFN, počet kolíků: 9 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: Trench MOSFET Trench MOSFET Typ P-kanálový 500 mA -20 V počet kolíků: 8 kolíkový Nexperia Vylepšení 2 Duální
- MOSFET SH8JB5TB1 Typ P-kanálový 8.5 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET QH8JB5TCR Typ P-kanálový 5 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET QH8JC5TCR Typ P-kanálový 3.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální