MOSFET UT6JC5TCR Typ P-kanálový 2.5 A 60 V, DFN, počet kolíků: 7 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- Skladové číslo RS:
- 223-6398
- Výrobní číslo:
- UT6JC5TCR
- Výrobce:
- ROHM
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 50 kusů a ušetřete 9,35 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
237,85 Kč
(bez DPH)
287,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 15. listopadu 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 25 - 25 | 9,514 Kč | 237,85 Kč | - |
| 50 - 75 | 9,327 Kč | 233,18 Kč | 9,35 Kč |
| 100 - 225 | 6,649 Kč | 166,23 Kč | 286,50 Kč |
| 250 - 975 | 6,521 Kč | 163,03 Kč | 748,25 Kč |
| 1000 + | 5,592 Kč | 139,80 Kč | 3 922,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 223-6398
- Výrobní číslo:
- UT6JC5TCR
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | DFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.8Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Šířka | 2mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 2mm | |
| Výška | 650μm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení DFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.8Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Šířka 2mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 2mm | ||
Výška 650μm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
The ROHM small signal MOSFET has DFN1010-3W package type. It is mainly used for switching circuits, high side loadswitch and relay driver.
Leadless ultra small and exposed drain pad for excellent thermal conduction SMD plastic package
Side wettable Flanks for automated optical solder inspection
AEC-Q101 qualified
Související odkazy
- MOSFET UT6JC5TCR Typ P-kanálový 2.5 A 60 V počet kolíků: 7 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET UT6JB5TCR Typ P-kanálový 3.5 A 40 V počet kolíků: 7 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET Typ N DFN, počet kolíků: 9 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET HS8MA2TCR1 Typ N DFN, počet kolíků: 9 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET QH8JB5TCR Typ P-kanálový 5 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET QH8JC5TCR Typ P-kanálový 3.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET SH8JC5TB1 Typ P-kanálový 7.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET SH8JB5TB1 Typ P-kanálový 8.5 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální