MOSFET SH8JC5TB1 Typ P-kanálový 7.5 A 60 V, SOP, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- Skladové číslo RS:
- 223-6393
- Výrobní číslo:
- SH8JC5TB1
- Výrobce:
- ROHM
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
274,66 Kč
(bez DPH)
332,34 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 18. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 54,932 Kč | 274,66 Kč |
| 50 - 95 | 46,732 Kč | 233,66 Kč |
| 100 - 245 | 36,26 Kč | 181,30 Kč |
| 250 + | 35,568 Kč | 177,84 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 223-6393
- Výrobní číslo:
- SH8JC5TB1
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOP | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.32Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 50nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5mm | |
| Výška | 1.75mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 6mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOP | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.32Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 50nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5mm | ||
Výška 1.75mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 6mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET ROHM má typ DFN2020-8D. Používá se hlavně pro spínání.
Nízký odpor při zapnutí
Malá sada pro povrchovou montáž
Pokovování bez obsahu olova, vyhovuje směrnici RoHS
Bez halogenů
Související odkazy
- MOSFET SH8JC5TB1 Typ P-kanálový 7.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET SH8JB5TB1 Typ P-kanálový 8.5 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: SH8MA2 MOSFET Typ P SOP, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: SH8MB MOSFET Typ N SOP, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 1 Duální
- řada: SH8MA2 MOSFET SH8MA2GZETB Typ P SOP, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: SH8MA4 MOSFET SH8MA4TB1 Typ P SOP, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: SH8MB MOSFET SH8MB5TB1 Typ N SOP, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 1 Duální
- AEC-Q101 Typ P-kanálový 6 A 45 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální