MOSFET UT6JC5TCR Typ P-kanálový 2.5 A 60 V, DFN, počet kolíků: 7 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- Skladové číslo RS:
- 223-6397
- Výrobní číslo:
- UT6JC5TCR
- Výrobce:
- ROHM
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
23 208,00 Kč
(bez DPH)
28 083,00 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 7,736 Kč | 23 208,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 223-6397
- Výrobní číslo:
- UT6JC5TCR
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) | 2.5 A | |
| Maximální napětí na zdroji (Vds) | 60 V | |
| Typ balení | DFN | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Přímé napětí (Vf) | -1.2 V | |
| Výška | 650 μm | |
| Délka | 2 mm | |
| Maximální odpor zdroje (Rds) | 2.8 Ω | |
| Maximální napětí zdroje brány (Vgs) | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 150 °C | |
| Maximální ztrátový výkon (Pd) | 2 W | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Normy/schválení | No | |
| Typický náboj brány (Qg) @ Vgs | 6.3 nC | |
| Šířka | 2 mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Automobilový standard Ne | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 2.5 A | ||
Maximální napětí na zdroji (Vds) 60 V | ||
Typ balení DFN | ||
Počet kolíků 7 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Přímé napětí (Vf) -1.2 V | ||
Výška 650 μm | ||
Délka 2 mm | ||
Maximální odpor zdroje (Rds) 2.8 Ω | ||
Maximální napětí zdroje brány (Vgs) 20 V | ||
Maximální provozní teplota 150 °C | ||
Maximální ztrátový výkon (Pd) 2 W | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Typ montáže Povrch | ||
Normy/schválení No | ||
Typický náboj brány (Qg) @ Vgs 6.3 nC | ||
Šířka 2 mm | ||
The ROHM small signal MOSFET has DFN1010-3W package type. It is mainly used for switching circuits, high side loadswitch and relay driver.
Leadless ultra small and exposed drain pad for excellent thermal conduction SMD plastic package
Side wettable Flanks for automated optical solder inspection
AEC-Q101 qualified
Související odkazy
- MOSFET UT6JC5TCR Typ P-kanálový 2.5 A 60 V počet kolíků: 7 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET UT6JB5TCR Typ P-kanálový 3.5 A 40 V počet kolíků: 7 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET Typ N DFN, počet kolíků: 9 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET HS8MA2TCR1 Typ N DFN, počet kolíků: 9 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET QH8JB5TCR Typ P-kanálový 5 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET QH8JC5TCR Typ P-kanálový 3.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET SH8JC5TB1 Typ P-kanálový 7.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET SH8JB5TB1 Typ P-kanálový 8.5 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
