MOSFET QH8JB5TCR Typ P-kanálový 5 A 40 V, TSMT, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- Skladové číslo RS:
- 223-6205
- Výrobní číslo:
- QH8JB5TCR
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
164,26 Kč
(bez DPH)
198,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 25. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 16,426 Kč | 164,26 Kč |
| 50 - 90 | 16,104 Kč | 161,04 Kč |
| 100 - 240 | 12,177 Kč | 121,77 Kč |
| 250 - 990 | 11,905 Kč | 119,05 Kč |
| 1000 + | 9,633 Kč | 96,33 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 223-6205
- Výrobní číslo:
- QH8JB5TCR
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TSMT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.41Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.5W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Délka | 3.3mm | |
| Výška | 0.85mm | |
| Šířka | 2.8mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TSMT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.41Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.5W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Délka 3.3mm | ||
Výška 0.85mm | ||
Šířka 2.8mm | ||
Normy/schválení No | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
ROHM malý signál MOSFET má typ balení TMT8. Používá se hlavně pro spínání.
Nízký odpor při zapnutí
Malá sada pro povrchovou montáž
Pokovování bez obsahu olova, vyhovuje směrnici RoHS
Bez halogenů
Související odkazy
- MOSFET QH8JB5TCR Typ P-kanálový 5 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET QH8JC5TCR Typ P-kanálový 3.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 1 A 30 V počet kolíků: 6 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: QH8K51 MOSFET QH8K51TR Typ N-kanálový 2 A 100 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: RRR040P03 MOSFET RQ5E040RPTL Typ P-kanálový 4 A 30 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RTR020P02 MOSFET RQ5C020TPTL Typ P-kanálový 2 A 20 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RQ5H020SP MOSFET RQ5H020SPTL Typ P-kanálový 2 A 45 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET RTU002P02T106 Typ P-kanálový 20 V počet kolíků: 3 kolíkový ROHM Vylepšení 1 Jednoduchý