MOSFET QH8JB5TCR Typ P-kanálový 5 A 40 V, TSMT, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- Skladové číslo RS:
- 223-6205
- Výrobní číslo:
- QH8JB5TCR
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
164,26 Kč
(bez DPH)
198,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 15. listopadu 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 16,426 Kč | 164,26 Kč |
| 50 - 90 | 16,104 Kč | 161,04 Kč |
| 100 - 240 | 12,177 Kč | 121,77 Kč |
| 250 - 990 | 11,905 Kč | 119,05 Kč |
| 1000 + | 9,633 Kč | 96,33 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 223-6205
- Výrobní číslo:
- QH8JB5TCR
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TSMT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.41Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.5W | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Šířka | 2.8mm | |
| Výška | 850μm | |
| Délka | 3.3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TSMT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.41Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.5W | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Šířka 2.8mm | ||
Výška 850μm | ||
Délka 3.3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
The ROHM small signal MOSFET has TSMT8 package type. It is mainly used for switching.
Low on - resistance
Small surface mount package
Pb-free plating, RoHS compliant
Halogen free
Související odkazy
- MOSFET QH8JB5TCR Typ P-kanálový 5 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET QH8JC5TCR Typ P-kanálový 3.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- Výkonový MOSFET N-kanálový 1 A 30 V počet kolíků: 6 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: QH8K51 MOSFET QH8K51TR N-kanálový 2 A 100 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: RQ5H020SP MOSFET RQ5H020SPTL Typ P-kanálový 2 A 45 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RTR020P02 MOSFET RQ5C020TPTL Typ P-kanálový 2 A 20 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RRR040P03 MOSFET RQ5E040RPTL Typ P-kanálový 4 A 30 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RQ6E050AT MOSFET RQ6E050ATTCR Typ P-kanálový 5 A 30 V ROHM počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení