Výkonový MOSFET N-kanálový 1 A 30 V, TSMT, počet kolíků: 6 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- Skladové číslo RS:
- 168-2133
- Výrobní číslo:
- QS6K1TR
- Výrobce:
- ROHM
Přidejte dalších 75 kusů a ušetřete 7%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
200,55 Kč
(bez DPH)
242,68 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
- Odeslání od 29. března 2027
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 25 - 50 | 8,022 Kč | 200,55 Kč | - |
| 75 - 125 | 7,39 Kč | 184,75 Kč | 7% |
| 150 + | 6,511 Kč | 162,78 Kč | 18% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 168-2133
- Výrobní číslo:
- QS6K1TR
- Výrobce:
- ROHM
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | TSMT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 238mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 12V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.25W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Maximální provozní teplota | +150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Délka | 3mm | |
| Šířka | 1.8mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 950μm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení TSMT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 238mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 12V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.25W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Maximální provozní teplota +150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Délka 3mm | ||
Šířka 1.8mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 950μm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Související odkazy
- MOSFET QH8JB5TCR Typ P-kanálový 5 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET QH8JC5TCR Typ P-kanálový 3.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: QH8K51 MOSFET QH8K51TR N-kanálový 2 A 100 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: RQ5E035BN MOSFET RQ5E035BNTCL N-kanálový 3.5 A 30 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RUR040N02 MOSFET RUR040N02TL N-kanálový 4 A 20 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RUR020N02 MOSFET RUR020N02TL N-kanálový 2 A 20 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QH8KC5 MOSFET QH8KC5TCR N-kanálový 3 A 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RQ5H020SP MOSFET RQ5H020SPTL Typ P-kanálový 2 A 45 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
