Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 1 A 30 V, TSMT, počet kolíků: 6 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální

Skladové číslo RS:: 168-2133
Výrobní číslo:: QS6K1TR
Výrobce:: ROHM

Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 1 A 30 V, TSMT, počet kolíků: 6 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*

200,55 Kč

(bez DPH)

242,675 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 01. února 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
25 - 50	8,022 Kč	200,55 Kč
75 - 125	7,39 Kč	184,75 Kč
150 +	6,511 Kč	162,78 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 168-2133
Výrobní číslo:: QS6K1TR
Výrobce:: ROHM

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	ROHM
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	1A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Typ balení	TSMT
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	6
	Maximální odpor zdroje Rds	238mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	1.25W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	1.7nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	12V
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Konfigurace tranzistoru	Duální
	Normy/schválení	No
	Šířka	1.8mm
	Délka	3mm
	Výška	0.95mm
	Počet prvků na čip	2
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka ROHM
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Typ balení TSMT
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 6
	Maximální odpor zdroje Rds 238mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 1.25W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 1.7nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 12V
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Konfigurace tranzistoru Duální
	Normy/schválení No
	Šířka 1.8mm
	Délka 3mm
	Výška 0.95mm
	Počet prvků na čip 2
	Automobilový standard Ne

Komplexní tranzistory MOSFET (N+N) jsou díky použitým mikroprocesorovým technologiím navrženy jako zařízení s nízkým odporem při zapnutí a jsou použitelné v široké škále aplikací. Tato široká řada zahrnuje kompaktní typy, typy s vysokým výkonem a komplexní typy pro splnění různých požadavků trhu.

Typ buzení 2,5 V

Středněvýkonový MOSFET s N-kanálem

Vysoká spínací rychlost

Malé pouzdro pro povrchovou montáž

Bez olova

Aplikace:

Přenosný datový terminál

Zařízení na zpracování mincí

Digitální multimetr: Praktický typ

Řízení motoru: Bezkomutátorový DC

Programovatelný logický ovladač (PLC)

Servo AC

Úložiště připojené k síti

DVR/DVS

Řízení motoru: Krokový motor

Řízení motoru: Komutátorový DC

Pokladní systém (POS)

Elektrokolo

Integrovaný PC

Chytrý měřicí přístroj

Bezpečnostní kamera

Rentgenové kontrolní zařízení pro zabezpečení

Bezpečnostní kamera pro síť

Intercom / dětská chůvička

Kamera strojního vidění pro průmysl

Zařízení pro identifikaci otiskem prstu

Proudový chránič (GFCI)

Digitální multimetr: Stolní typ

Displej pro EMS

Solární invertory

Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 1 A 30 V, TSMT, počet kolíků: 6 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 1 A 30 V, TSMT, počet kolíků: 6 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Možnosti hromadného nacenění

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS