řada: QH8KB6 MOSFET QH8KB6TCR Typ N-kanálový 8 A 40 V ROHM, TSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 235-2666
- Výrobní číslo:
- QH8KB6TCR
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
148,69 Kč
(bez DPH)
179,91 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 30. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 14,869 Kč | 148,69 Kč |
| 50 - 90 | 14,548 Kč | 145,48 Kč |
| 100 - 240 | 11,807 Kč | 118,07 Kč |
| 250 - 990 | 11,411 Kč | 114,11 Kč |
| 1000 + | 11,214 Kč | 112,14 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 235-2666
- Výrobní číslo:
- QH8KB6TCR
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TSMT-8 | |
| Řada | QH8KB6 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 17.7mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.5W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 0.85mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 2.9mm | |
| Délka | 3.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TSMT-8 | ||
Řada QH8KB6 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 17.7mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.5W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 0.85mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 2.9mm | ||
Délka 3.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
ROHM dual N kanál MOSFET, který podporuje 40V vydržet napětí. Je určen pro vstupní zařízení 24 v, jako jsou například zařízení pro automatizaci výroby, a motory namontované na základnových stanicích. Tento výrobek se skládá z nízkoodporového N-kanálového MOSFET, který se snižuje o 58%. To přispívá k nízké spotřebě energie různých zařízení.
Malá sada pro povrchovou montáž
Povrchová vrstva bez obsahu olova
Vyhovuje RoHS
Bez halogenů
Související odkazy
- řada: QH8KB6 MOSFET QH8KB6TCR Typ N-kanálový 8 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: QH8KC6 MOSFET QH8KC6TCR Typ N-kanálový 5.5 A 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: QH8KC5 MOSFET QH8KC5TCR Typ N-kanálový 3 A 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: QH8KB5 MOSFET QH8KB5TCR Typ N-kanálový 4.5 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: QH8 MOSFET QH8KE5TCR Typ N-kanálový 100 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- MOSFET QH8JB5TCR Typ P-kanálový 5 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET QH8JC5TCR Typ P-kanálový 3.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: QH8MC5 MOSFET QH8MC5TCR Typ N TSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení