řada: QH8 MOSFET QH8KE5TCR Typ N-kanálový 100 V, TSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 264-562
- Výrobní číslo:
- QH8KE5TCR
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 25 kusech)*
208,725 Kč
(bez DPH)
252,55 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 975 jednotka(y) budou odesílané od 04. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 8,349 Kč | 208,73 Kč |
| 100 - 225 | 7,944 Kč | 198,60 Kč |
| 250 - 475 | 7,351 Kč | 183,78 Kč |
| 500 - 975 | 6,768 Kč | 169,20 Kč |
| 1000 + | 6,521 Kč | 163,03 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 264-562
- Výrobní číslo:
- QH8KE5TCR
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | QH8 | |
| Typ balení | TSMT-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 202mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.5W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada QH8 | ||
Typ balení TSMT-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 202mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.5W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
ROHM 100V 2,0A dvoukanálový výkonový MOSFET v pouzdře TSMT8 je určen pro vysoce účinné spínané zdroje a aplikace pro pohon motorů.
Nízký odpor při zapnutí
Malé pouzdro pro povrchovou montáž TSMT8
Bezplášťové pokovování a splnění požadavků RoHS
Bez halogenů
Související odkazy
- řada: QH8KB6 MOSFET QH8KB6TCR Typ N-kanálový 8 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: QH8KC6 MOSFET QH8KC6TCR Typ N-kanálový 5.5 A 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: QH8KC5 MOSFET QH8KC5TCR Typ N-kanálový 3 A 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: QH8KB5 MOSFET QH8KB5TCR Typ N-kanálový 4.5 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET QH8JB5TCR Typ P-kanálový 5 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET QH8JC5TCR Typ P-kanálový 3.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: QH8MC5 MOSFET QH8MC5TCR Typ N TSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: QH8MB5 MOSFET QH8MB5TCR Typ P TSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení