řada: RQ5E035BN MOSFET RQ5E035BNTCL Typ N-kanálový 3.5 A 30 V ROHM, TSMT, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 133-3300
- Výrobní číslo:
- RQ5E035BNTCL
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 50 kusech)*
213,40 Kč
(bez DPH)
258,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 2 000 jednotka(y) budou odesílané od 11. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 4,268 Kč | 213,40 Kč |
| 250 - 450 | 3,295 Kč | 164,75 Kč |
| 500 - 2450 | 3,205 Kč | 160,25 Kč |
| 2500 - 4950 | 3,082 Kč | 154,10 Kč |
| 5000 + | 3,013 Kč | 150,65 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 133-3300
- Výrobní číslo:
- RQ5E035BNTCL
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | RQ5E035BN | |
| Typ balení | TSMT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 56mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 0.95mm | |
| Délka | 3mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada RQ5E035BN | ||
Typ balení TSMT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 56mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 0.95mm | ||
Délka 3mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistory MOSFET N-Channel, ROHM
Tranzistory MOSFET, ROHM Semiconductor
Související odkazy
- MOSFET QH8JC5TCR Typ P-kanálový 3.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: RQ5C035BC MOSFET RQ5C035BCTCL Typ P-kanálový 3.5 A 20 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QH8MC5 MOSFET QH8MC5TCR Typ N TSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RQ6L035AT MOSFET Typ P-kanálový 3.5 A 60 V ROHM počet kolíků: 6 kolíkový P
- řada: RQ6L035AT MOSFET RQ6L035ATTCR Typ P-kanálový 3.5 A 60 V ROHM počet kolíků: 6 kolíkový P
- MOSFET QH8JB5TCR Typ P-kanálový 5 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: RUR040N02 MOSFET RUR040N02TL Typ N-kanálový 4 A 20 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RTR020P02 MOSFET RQ5C020TPTL Typ P-kanálový 2 A 20 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení