řada: RQ5H020SP MOSFET RQ5H020SPTL Typ P-kanálový 2 A 45 V ROHM, TSMT, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 133-3302
- Výrobní číslo:
- RQ5H020SPTL
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
293,20 Kč
(bez DPH)
354,775 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 22. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 11,728 Kč | 293,20 Kč |
| 125 - 225 | 8,793 Kč | 219,83 Kč |
| 250 - 1225 | 8,487 Kč | 212,18 Kč |
| 1250 - 2475 | 8,28 Kč | 207,00 Kč |
| 2500 + | 8,072 Kč | 201,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 133-3302
- Výrobní číslo:
- RQ5H020SPTL
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 45V | |
| Typ balení | TSMT | |
| Řada | RQ5H020SP | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 280mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 0.95mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 45V | ||
Typ balení TSMT | ||
Řada RQ5H020SP | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 280mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 0.95mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistory MOSFET s kanálem P, ROHM
Tranzistory MOSFET, ROHM Semiconductor
Související odkazy
- MOSFET QH8JB5TCR Typ P-kanálový 5 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET QH8JC5TCR Typ P-kanálový 3.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: RTR020P02 MOSFET RQ5C020TPTL Typ P-kanálový 2 A 20 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RRR040P03 MOSFET RQ5E040RPTL Typ P-kanálový 4 A 30 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET RTU002P02T106 Typ P-kanálový 20 V počet kolíků: 3 kolíkový ROHM Vylepšení 1 Jednoduchý
- řada: RQ5C035BC MOSFET RQ5C035BCTCL Typ P-kanálový 3.5 A 20 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RQ6E050AT MOSFET RQ6E050ATTCR Typ P-kanálový 5 A 30 V ROHM počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: QH8MA3 MOSFET Typ N TSMT, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
