řada: IPS70R MOSFET IPS70R900P7SAKMA1 Typ N-kanálový 6 A 700 V Infineon, TO-251, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4936
- Výrobní číslo:
- IPS70R900P7SAKMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
288,00 Kč
(bez DPH)
348,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 675 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 11,52 Kč | 288,00 Kč |
| 125 - 225 | 8,991 Kč | 224,78 Kč |
| 250 - 600 | 8,408 Kč | 210,20 Kč |
| 625 - 1225 | 7,835 Kč | 195,88 Kč |
| 1250 + | 7,272 Kč | 181,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4936
- Výrobní číslo:
- IPS70R900P7SAKMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 700V | |
| Typ balení | TO-251 | |
| Řada | IPS70R | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 900mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 30.5W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 16 V | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 2.4 mm | |
| Výška | 6.22mm | |
| Délka | 6.73mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 700V | ||
Typ balení TO-251 | ||
Řada IPS70R | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 900mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 30.5W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 16 V | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 2.4 mm | ||
Výška 6.22mm | ||
Délka 6.73mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon byl vyvinut tak, aby sloužil dnešním a zejména budoucím trendům v topologiích flyback – nová řada superjunction MOSFET 700V CoolMOS™ P7 se zaměřuje na trh SMPS s nízkou spotřebou energie, jako jsou nabíječky mobilních telefonů nebo adaptéry pro notebooky, a nabízí tak zásadní zvýšení výkonu ve srovnání s dnes používanými superjunction technologiemi. Spojením zpětné vazby zákazníků s více než 20 lety zkušeností superjunction MOSFET umožňuje 700V CoolMOS™ P7 nejlépe vyhovět cílovým aplikacím z hlediska:
Umožňuje přepínání na vysokou rychlost
Integrovaná ochranná Zenerova dioda
Optimalizované v (GS)th 3V s velmi úzkou tolerancí ±0,5V
Jemně odstupňované portfolio
Související odkazy
- řada: IPS70R MOSFET Typ N-kanálový 6 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPS70R MOSFET Typ N-kanálový 8.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPS70R MOSFET Typ N-kanálový 4 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPS70R MOSFET IPS70R1K4P7SAKMA1 Typ N-kanálový 4 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPS70R MOSFET IPS70R600P7SAKMA1 Typ N-kanálový 8.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 10 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 8.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 6 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení