řada: IPS70R MOSFET Typ N-kanálový 4 A 700 V Infineon, TO-251, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 75 kusech)*

411,525 Kč

(bez DPH)

497,925 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 150 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
75 - 755,487 Kč411,53 Kč
150 - 3004,835 Kč362,63 Kč
375 - 6754,706 Kč352,95 Kč
750 - 18004,581 Kč343,58 Kč
1875 +4,469 Kč335,18 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
222-4930
Výrobní číslo:
IPS70R1K4P7SAKMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

4A

Maximální napětí na zdroji Vds

700V

Typ balení

TO-251

Řada

IPS70R

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

1.4Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

4.7nC

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální ztrátový výkon Pd

22.7W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

16 V

Přímé napětí Vf

0.9V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

6.22mm

Šířka

2.4 mm

Délka

6.73mm

Automobilový standard

Ne

Infineon byl vyvinut tak, aby sloužil dnešním a zejména budoucím trendům v topologiích flyback – nová řada superjunction MOSFET 700V CoolMOS™ P7 se zaměřuje na trh SMPS s nízkou spotřebou energie, jako jsou nabíječky mobilních telefonů nebo adaptéry pro notebooky, a nabízí tak zásadní zvýšení výkonu ve srovnání s dnes používanými superjunction technologiemi. Spojením zpětné vazby zákazníků s více než 20 let zkušeností superjunction MOSFET, 700V

Umožňuje přepínání na vysokou rychlost

Integrovaná ochranná Zenerova dioda

Optimalizované v (GS)th 3V s velmi úzkou tolerancí ±0,5V

Jemně odstupňované portfolio

Související odkazy