řada: IPL60R MOSFET IPL65R195C7AUMA1 Typ N-kanálový 12 A 650 V Infineon, ThinPAK, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4920
- Výrobní číslo:
- IPL65R195C7AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
337,90 Kč
(bez DPH)
408,85 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 200 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 67,58 Kč | 337,90 Kč |
| 25 - 45 | 64,22 Kč | 321,10 Kč |
| 50 - 120 | 57,748 Kč | 288,74 Kč |
| 125 - 245 | 52,068 Kč | 260,34 Kč |
| 250 + | 49,40 Kč | 247,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4920
- Výrobní číslo:
- IPL65R195C7AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | ThinPAK | |
| Řada | IPL60R | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 195mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 75W | |
| Přímé napětí Vf | 0.8V | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 8.1mm | |
| Výška | 1.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení ThinPAK | ||
Řada IPL60R | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 195mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 75W | ||
Přímé napětí Vf 0.8V | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 8.1mm | ||
Výška 1.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Superjunction MOSFET řady Infineon CoolMOS™ C7 představuje revoluční krok vpřed v technologii, který poskytuje nejnižší RDS (ON)/balíček na světě a díky nízkým spínacím ztrátám zlepšuje efektivitu v celém rozsahu zatížení
Vylepšená bezpečnostní rezerva a vhodná pro aplikace SMPS i solárních měničů
Nejnižší ztráty vedení/balení
Nízké ztráty při spínání
Lepší účinnost při nízké zátěži
Zvýšení hustoty výkonu
Vynikající kvalita CoolMOS™
Související odkazy
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 12 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 28 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET IPL65R070C7AUMA1 Typ N-kanálový 28 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 33 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 17 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 19 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET IPL60R075CFD7AUMA1 Typ N-kanálový 33 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET IPL60R185P7AUMA1 Typ N-kanálový 19 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení