řada: IPL60R MOSFET IPL65R070C7AUMA1 Typ N-kanálový 28 A 650 V Infineon, ThinPAK, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4918
- Výrobní číslo:
- IPL65R070C7AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
367,54 Kč
(bez DPH)
444,72 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 94 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 183,77 Kč | 367,54 Kč |
| 10 - 18 | 165,365 Kč | 330,73 Kč |
| 20 - 48 | 154,375 Kč | 308,75 Kč |
| 50 - 98 | 145,235 Kč | 290,47 Kč |
| 100 + | 134,12 Kč | 268,24 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4918
- Výrobní číslo:
- IPL65R070C7AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 28A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | ThinPAK | |
| Řada | IPL60R | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 70mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 169W | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 64nC | |
| Přímé napětí Vf | 0.8V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 8.1mm | |
| Výška | 1.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 28A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení ThinPAK | ||
Řada IPL60R | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 70mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 169W | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 64nC | ||
Přímé napětí Vf 0.8V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 8.1mm | ||
Výška 1.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Superjunction MOSFET řady Infineon CoolMOS™ C7 představuje revoluční krok vpřed v technologii, který poskytuje nejnižší RDS (ON)/balíček na světě a díky nízkým spínacím ztrátám zlepšuje efektivitu v celém rozsahu zatížení.
Revoluční, nejlepší ve své třídě R DS(ON)/balíček
Snížená energie uložená ve výstupní kapacitance (Eoss)
Spusťte plnění hradla QG
Úspora místa díky použití menších balíků nebo snížení počtu dílů
12 let výrobních zkušeností v superjunction technologie
Související odkazy
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 28 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 12 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET IPL65R195C7AUMA1 Typ N-kanálový 12 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 33 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 17 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 19 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET IPL60R075CFD7AUMA1 Typ N-kanálový 33 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET IPL60R185P7AUMA1 Typ N-kanálový 19 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení