řada: IPL60R MOSFET IPL60R075CFD7AUMA1 Typ N-kanálový 33 A 600 V Infineon, ThinPAK, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4912
- Výrobní číslo:
- IPL60R075CFD7AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
177,84 Kč
(bez DPH)
215,18 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 3 698 jednotka(y) budou odesílané od 04. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 88,92 Kč | 177,84 Kč |
| 20 - 48 | 79,04 Kč | 158,08 Kč |
| 50 - 98 | 73,855 Kč | 147,71 Kč |
| 100 - 198 | 68,665 Kč | 137,33 Kč |
| 200 + | 63,85 Kč | 127,70 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4912
- Výrobní číslo:
- IPL60R075CFD7AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 33A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | IPL60R | |
| Typ balení | ThinPAK | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 75mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 67nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 189W | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.1mm | |
| Délka | 8.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 33A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada IPL60R | ||
Typ balení ThinPAK | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 75mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 67nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 189W | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.1mm | ||
Délka 8.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 je nejnovější vysokonapěťová superjunction MOSFET technologie Infineon s integrovanou rychlou tělní diodou, která doplňuje řadu CoolMOS™ 7. CoolMOS™ CFD7 se dodává se sníženým poplatkem za bránu (QG), lepším chováním při vypínání a zpětným vymáháním (Qrr) až o 69 % nižším v porovnání s konkurencí a také s nejnižším časem zpětného zotavení (trr) na trhu.
Ultrarychlá dioda těla
Nejlepší poplatek za zpětné zotavení ve své třídě (Qrr)
Vylepšená zpětná dioda dv/dt a dif/dt robustnost
Nejnižší FOM RDS (ON) x QG a Eoss
Nejlepší kombinace RDS(ON)/balíčku ve své třídě
Související odkazy
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 33 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 17 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 19 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET IPL60R185P7AUMA1 Typ N-kanálový 19 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET IPL60R125C7AUMA1 Typ N-kanálový 17 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 28 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 12 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET IPL65R070C7AUMA1 Typ N-kanálový 28 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení