řada: IPL60R MOSFET IPL60R125C7AUMA1 Typ N-kanálový 17 A 600 V Infineon, ThinPAK, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4914
- Výrobní číslo:
- IPL60R125C7AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
185,25 Kč
(bez DPH)
224,152 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 480 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 92,625 Kč | 185,25 Kč |
| 20 - 48 | 84,35 Kč | 168,70 Kč |
| 50 - 98 | 78,795 Kč | 157,59 Kč |
| 100 - 198 | 73,11 Kč | 146,22 Kč |
| 200 + | 67,555 Kč | 135,11 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4914
- Výrobní číslo:
- IPL60R125C7AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 17A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | ThinPAK | |
| Řada | IPL60R | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 120mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 103W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.1mm | |
| Délka | 8.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 17A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení ThinPAK | ||
Řada IPL60R | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 120mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 103W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.1mm | ||
Délka 8.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Superjunction (SJ) MOSFET řady Infineon 600V CoolMOS™ C7 nabízí ve srovnání s CoolMOS™ CP přibližně 50% snížení ztrát při vypínání (E OSS) a nabízí vynikající úroveň výkonu v PFC, TTF a dalších topologiích s tvrdým přepínáním. Model IPL60R185C7 je také ideální volbou pro vysoce výkonné nabíječky.
Snížené parametry ztráty při spínání, např. Q G, C oss, E oss
Nejlepší parametry Q G*R DS(on) ve své třídě
Zvýšená frekvence spínání
Nejlepší hodnota R (on)*A na světě
Odolná dioda
Související odkazy
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 17 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 33 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 19 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET IPL60R075CFD7AUMA1 Typ N-kanálový 33 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET IPL60R185P7AUMA1 Typ N-kanálový 19 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 28 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET Typ N-kanálový 12 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPL60R MOSFET IPL65R070C7AUMA1 Typ N-kanálový 28 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení