řada: IPD50R MOSFET IPL60R060CFD7AUMA1 Typ N-kanálový 40 A 600 V Infineon, ThinPAK, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4907
- Výrobní číslo:
- IPL60R060CFD7AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
292,94 Kč
(bez DPH)
354,46 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 12. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 146,47 Kč | 292,94 Kč |
| 10 - 18 | 130,295 Kč | 260,59 Kč |
| 20 - 48 | 123,005 Kč | 246,01 Kč |
| 50 - 98 | 114,115 Kč | 228,23 Kč |
| 100 + | 105,345 Kč | 210,69 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4907
- Výrobní číslo:
- IPL60R060CFD7AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 40A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | ThinPAK | |
| Řada | IPD50R | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 60mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 219W | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 8.1mm | |
| Výška | 1.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 40A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení ThinPAK | ||
Řada IPD50R | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 60mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 219W | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 8.1mm | ||
Výška 1.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 je nejnovější vysokonapěťová superjunction MOSFET technologie Infineon s integrovanou rychlou tělní diodou, která doplňuje řadu CoolMOS™ 7. CoolMOS™ CFD7 se dodává se sníženým poplatkem za bránu (QG), lepším chováním při vypínání a zpětným vymáháním (Qrr) až o 69 % nižším v porovnání s konkurencí a také s nejnižším časem zpětného zotavení (trr) na trhu.
Špičková odolnost při tvrdé komutaci
Nejvyšší spolehlivost pro rezonanční topologie
Nejvyšší efektivita díky mimořádně snadnému použití a výkonu
Umožňuje řešení s vyšší hustotou výkonu
Související odkazy
- řada: IPD50R MOSFET Typ N-kanálový 40 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET Typ N-kanálový 29 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET IPL60R065C7AUMA1 Typ N-kanálový 29 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET Typ N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET Typ N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 10 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET IPD60R180C7ATMA1 Typ N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET IPDD60R190G7XTMA1 Typ N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 10 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 3 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení