řada: IPD50R MOSFET IPD60R180C7ATMA1 N-kanálový 13 A 600 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4902
- Výrobní číslo:
- IPD60R180C7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
369,51 Kč
(bez DPH)
447,105 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 485 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 73,902 Kč | 369,51 Kč |
| 25 - 45 | 65,01 Kč | 325,05 Kč |
| 50 - 120 | 60,664 Kč | 303,32 Kč |
| 125 - 245 | 56,218 Kč | 281,09 Kč |
| 250 + | 52,512 Kč | 262,56 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4902
- Výrobní číslo:
- IPD60R180C7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | IPD50R | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 180mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 68W | |
| Délka | 6.73mm | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Výška | 2.41mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada IPD50R | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 180mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 68W | ||
Délka 6.73mm | ||
Šířka 6.22mm | ||
Výška 2.41mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Superjunction (SJ) MOSFET řady Infineon 600V CoolMOS™ C7 nabízí ve srovnání s CoolMOS™ CP přibližně 50% snížení ztrát při vypínání (E OSS) a nabízí vynikající úroveň výkonu v PFC, TTF a dalších topologiích s tvrdým přepínáním. Model IPL60R185C7 je také ideální volbou pro vysoce výkonné nabíječky.
Umožňuje zvýšit spínací frekvenci bez ztráty efektivity
Měření zobrazující klíčový parametr pro nízkou zátěž a účinnost při plném zatížení
Zdvojnásobení spínací frekvence bude polovina velikosti magnetických komponent
Menší balení pro stejné R DS (ON)
Lze použít v mnoha dalších polohách pro pevné i měkké spínací topologie
Související odkazy
- řada: IPD50R MOSFET N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 10 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET IPDD60R190G7XTMA1 N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 10 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET N-kanálový 5 A 500 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET IPD50R800CEAUMA1 N-kanálový 5 A 500 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET N-kanálový 40 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET N-kanálový 29 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET IPL60R065C7AUMA1 N-kanálový 29 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení