řada: IPD50R MOSFET IPDD60R190G7XTMA1 N-kanálový 13 A 600 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 10 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4904
- Výrobní číslo:
- IPDD60R190G7XTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
408,04 Kč
(bez DPH)
493,73 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 09. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 81,608 Kč | 408,04 Kč |
| 25 - 45 | 75,038 Kč | 375,19 Kč |
| 50 - 120 | 71,038 Kč | 355,19 Kč |
| 125 - 245 | 66,098 Kč | 330,49 Kč |
| 250 + | 61,256 Kč | 306,28 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4904
- Výrobní číslo:
- IPDD60R190G7XTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | IPD50R | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 10 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 190mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 76W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 18nC | |
| Přímé napětí Vf | 0.8V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.6mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 2.35mm | |
| Výška | 21.11mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada IPD50R | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 10 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 190mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 76W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 18nC | ||
Přímé napětí Vf 0.8V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.6mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 2.35mm | ||
Výška 21.11mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Technologie Infineon představují dvojitý DPAK (DDPAK), první prvotřídní chlazený balíček pro povrchovou montáž (SMD), který se zabývá vysoce výkonnými aplikacemi SMPS, jako je napájení z PC, solární, server a telekomunikace. Výhody již existující vysokonapěťové technologie 600V CoolMOS™ G7 superjunction (SJ) MOSFET je kombinován s inovativní koncepcí chlazení na horní straně, která poskytuje systémové řešení pro vysokoproudé pevné spínací topologie, jako je PFC a špičkové řešení účinnosti pro topologie LLC.
Umožňuje nejvyšší energetickou účinnost
Tepelné oddělení desky a polovodičů umožňuje překonat teplotní limity PCB
Snížená parazitická indukčnost zdroje zvyšuje účinnost a snadné použití
Umožňuje řešení s vyšší hustotou výkonu
Překročení nejvyšších standardů kvality
Související odkazy
- řada: IPD50R MOSFET N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 10 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET IPD60R180C7ATMA1 N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET N-kanálový 5 A 500 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET IPD50R800CEAUMA1 N-kanálový 5 A 500 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET N-kanálový 40 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET N-kanálový 29 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD50R MOSFET IPL60R065C7AUMA1 N-kanálový 29 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení