řada: FF6MR MOSFET Typ N-kanálový 250 A 1200 V, AG-62MM Infineon Vylepšení 1 Duální
- Skladové číslo RS:
- 222-4795
- Výrobní číslo:
- FF6MR12KM1BOSA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 tác po 10 kusech)*
98 853,55 Kč
(bez DPH)
119 612,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 20 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za kus* |
|---|---|---|
| 10 + | 9 885,355 Kč | 98 853,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4795
- Výrobní číslo:
- FF6MR12KM1BOSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 250A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Typ balení | AG-62MM | |
| Řada | FF6MR | |
| Typ montáže | Šasi | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5.81mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 5.85V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 20mW | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 250A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Typ balení AG-62MM | ||
Řada FF6MR | ||
Typ montáže Šasi | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5.81mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 5.85V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 20mW | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Modul polovičního můstku Infineon 62 mm 1200 v, 6 mΩ s MOSFET Cool SIC™.
Vysoká proudová hustota
Nízké ztráty při spínání
Vynikající spolehlivost oxidu hradítka
Nejvyšší odolnost proti vlhkosti
Robustní integrovaná tělní dioda, a tím i optimální tepelné podmínky
Související odkazy
- řada: FF6MR MOSFET FF6MR12KM1BOSA1 Typ N-kanálový 250 A 1200 V, AG-62MM Infineon Vylepšení 1 Duální
- řada: FF6MR MOSFET FF6MR20W2M1HB70BPSA1 Typ N-kanálový 150 A 1200 V Infineon, AG-EASY2B Vylepšení
- Infineon IGBT Duální 600 A 1200 V, AG-PRIME2 2 Šasi
- Infineon IGBT Duální 50 A 1200 V, AG-34MM 2 Šasi
- Infineon IGBT FF600R12IE4BOSA1 Duální 600 A 1200 V, AG-PRIME2 2 Šasi
- Infineon IGBT FF600R12IP4BOSA1 Duální 600 A 1200 V, AG-PRIME2 2 Šasi
- Infineon IGBT FF50R12RT4HOSA1 Duální 50 A 1200 V, AG-34MM 2 Šasi
- Infineon IGBT modul Typ N-kanálový 520 A 1200 V, AG-62MM-1 Svorka