Infineon IGBT FF50R12RT4HOSA1 Duální 50 A 1.2 kV, AG-34MM 2 Šasi

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Získejte množstevní slevu na nákup

Přidejte dalších 50 kusů a ušetřete 1 772,25 Kč

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 tác po 10 kusech)*

17 825,25 Kč

(bez DPH)

21 568,55 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 25. září 2028
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za kus*
Úspora
10 - 401 782,525 Kč17 825,25 Kč-
50 +1 747,08 Kč17 470,80 Kč1 772,25 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
260-8887
Výrobní číslo:
FF50R12RT4HOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

50A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

1.2kV

Maximální ztrátový výkon Pd

285W

Počet tranzistorů

2

Konfigurace

Duální

Typ balení

AG-34MM

Typ montáže

Šasi

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.25V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Dvojitý modul IGBT Infineon je 34 mm 1200 V, 50 A rychlý TRENCHSTOP IGBT4 a emitorově řízená 4 dioda. VCEsat s kladným teplotním koeficientem nabízí flexibilitu, optimální elektrický výkon a nejvyšší spolehlivost.

Rozšířená provozní teplota

Nízké spínací ztráty

Nízká hodnota VCEsat

Izolovaná základní deska

Standardní pouzdro

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.