Infineon IGBT Duální 50 A 1200 V, AG-34MM 2 Šasi

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tác po 10 kusech)*

17 398,68 Kč

(bez DPH)

21 052,40 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 10. dubna 2028
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za kus*
10 - 401 739,868 Kč17 398,68 Kč
50 +1 705,288 Kč17 052,88 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
260-8887
Výrobní číslo:
FF50R12RT4HOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

50A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

285W

Počet tranzistorů

2

Typ balení

AG-34MM

Konfigurace

Duální

Typ montáže

Šasi

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.25V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Dvojitý modul IGBT Infineon je 34 mm 1200 V, 50 A rychlý TRENCHSTOP IGBT4 a emitorově řízená 4 dioda. VCEsat s kladným teplotním koeficientem nabízí flexibilitu, optimální elektrický výkon a nejvyšší spolehlivost.

Rozšířená provozní teplota

Nízké spínací ztráty

Nízká hodnota VCEsat

Izolovaná základní deska

Standardní pouzdro

Související odkazy