IGBT FF50R12RT4HOSA1 50 A 1200 V, AG-34MM 2

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tác po 10 kusech)*

19 378,41 Kč

(bez DPH)

23 447,88 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 19. ledna 2028
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za kus*
10 - 401 937,841 Kč19 378,41 Kč
50 +1 899,307 Kč18 993,07 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
260-8887
Výrobní číslo:
FF50R12RT4HOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

50 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Počet tranzistorů

2

Maximální ztrátový výkon

285 W

Konfigurace

Duální

Typ balení

AG-34MM

Typ montáže

Upevnění na šasi

Dvojitý modul IGBT Infineon je 34 mm 1200 V, 50 A rychlý TRENCHSTOP IGBT4 a emitorově řízená 4 dioda. VCEsat s kladným teplotním koeficientem nabízí flexibilitu, optimální elektrický výkon a nejvyšší spolehlivost.

Rozšířená provozní teplota

Nízké spínací ztráty

Nízká hodnota VCEsat

Izolovaná základní deska

Standardní pouzdro

Související odkazy