Infineon IGBT Duální 50 A 1200 V, AG-34MM 2 Šasi

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tác po 10 kusech)*

17 398,68 Kč

(bez DPH)

21 052,40 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 16. února 2028
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za kus*
10 - 401 739,868 Kč17 398,68 Kč
50 +1 705,288 Kč17 052,88 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
260-8887
Výrobní číslo:
FF50R12RT4HOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

50A

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Počet tranzistorů

2

Maximální ztrátový výkon Pd

285W

Konfigurace

Duální

Typ balení

AG-34MM

Typ montáže

Šasi

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.25V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Dvojitý modul IGBT Infineon je 34 mm 1200 V, 50 A rychlý TRENCHSTOP IGBT4 a emitorově řízená 4 dioda. VCEsat s kladným teplotním koeficientem nabízí flexibilitu, optimální elektrický výkon a nejvyšší spolehlivost.

Rozšířená provozní teplota

Nízké spínací ztráty

Nízká hodnota VCEsat

Izolovaná základní deska

Standardní pouzdro

Související odkazy