Infineon IGBT FF50R12RT4HOSA1 Duální 50 A 1200 V, AG-34MM 2 Šasi

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

2 530,02 Kč

(bez DPH)

3 061,32 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 16. března 2028
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 42 530,02 Kč
5 - 92 435,91 Kč
10 - 492 341,56 Kč
50 +2 295,37 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
260-8888
Výrobní číslo:
FF50R12RT4HOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

50A

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

285W

Počet tranzistorů

2

Typ balení

AG-34MM

Konfigurace

Duální

Typ montáže

Šasi

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.25V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Dvojitý modul IGBT Infineon je 34 mm 1200 V, 50 A rychlý TRENCHSTOP IGBT4 a emitorově řízená 4 dioda. VCEsat s kladným teplotním koeficientem nabízí flexibilitu, optimální elektrický výkon a nejvyšší spolehlivost.

Rozšířená provozní teplota

Nízké spínací ztráty

Nízká hodnota VCEsat

Izolovaná základní deska

Standardní pouzdro

Související odkazy