Infineon IGBT FF50R12RT4HOSA1 Duální 50 A 1200 V, AG-34MM 2 Šasi

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

2 530,02 Kč

(bez DPH)

3 061,32 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 09. března 2028
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 42 530,02 Kč
5 - 92 435,91 Kč
10 - 492 341,56 Kč
50 +2 295,37 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
260-8888
Výrobní číslo:
FF50R12RT4HOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

50A

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Počet tranzistorů

2

Maximální ztrátový výkon Pd

285W

Typ balení

AG-34MM

Konfigurace

Duální

Typ montáže

Šasi

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.25V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Dvojitý modul IGBT Infineon je 34 mm 1200 V, 50 A rychlý TRENCHSTOP IGBT4 a emitorově řízená 4 dioda. VCEsat s kladným teplotním koeficientem nabízí flexibilitu, optimální elektrický výkon a nejvyšší spolehlivost.

Rozšířená provozní teplota

Nízké spínací ztráty

Nízká hodnota VCEsat

Izolovaná základní deska

Standardní pouzdro

Související odkazy