řada: HEXFET MOSFET IRL40SC228 Typ N-kanálový 557 A 40 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4755
- Výrobní číslo:
- IRL40SC228
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
737,05 Kč
(bez DPH)
891,85 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 335 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 147,41 Kč | 737,05 Kč |
| 25 - 45 | 123,896 Kč | 619,48 Kč |
| 50 - 120 | 114,954 Kč | 574,77 Kč |
| 125 - 245 | 107,642 Kč | 538,21 Kč |
| 250 + | 100,232 Kč | 501,16 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4755
- Výrobní číslo:
- IRL40SC228
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 557A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.65mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 307nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 416W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 4.83mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.54mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 557A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.65mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 307nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 416W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 4.83mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.54mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud na drajnu 557 A, maximální napětí na zdroji 40 V - IRL40SC228
Tento vysoce výkonný tranzistor MOSFET je určen pro různé aplikace vyžadující robustní výkon a účinnost. Je vybaven kompaktním pouzdrem pro povrchovou montáž D2PAK-7, které zajišťuje pohodlnou instalaci v prostorově omezeném prostředí. Jeho rozměry jsou 10,54 mm na délku, 9,65 mm na šířku a 4,83 mm na výšku, jeho trvalý proud na drenážích je 557 A a maximální napětí na drenážích je 40 V.
Charakteristiky a výhody
• Optimalizováno pro pohon na logické úrovni pro lepší kompatibilitu
• Nízký RDS(on) 0,50 mΩ pro snížení ztrát výkonu
• Vysoká proudová kapacita až 557 A pro náročné aplikace
• Všestranné použití v motorových pohonech a napájecích zdrojích
Aplikace
• Vhodné pro obvody pohonů kartáčovaných motorů a motorů BLDC
• Ideální pro elektronické systémy napájené z baterie
• Používá se v topologiích polomůstkových a celomůstkových obvodů
• Efektivní jako synchronní usměrňovač v napájení
• Používá se v měničích DC-DC a AC-DC
Jaké jsou hlavní výhody použití tohoto zařízení ve vysokoproudých aplikacích?
Nízký zapínací odpor zařízení výrazně zvyšuje účinnost, což umožňuje vyšší průtok proudu bez výrazné tvorby tepla. To podporuje spolehlivost a výkon v náročných situacích, kdy je rozhodující proudová kapacita.
Jak se tento MOSFET chová při vysokých teplotách?
Efektivně pracuje v širokém rozsahu teplot od -55 °C do +175 °C, což zajišťuje stabilitu a funkčnost i v extrémních provozních podmínkách.
Jaké vlastnosti zvyšují odolnost tohoto tranzistoru MOSFET během provozu?
Zvýšená odolnost hradla a lavinová odolnost jej chrání před napěťovými špičkami, zatímco jeho nízké dynamické schopnosti dV/dt přispívají ke konzistentnímu výkonu v rychle se měnících podmínkách.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 557 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 70 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 100 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 23 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 183 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 29 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 19 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 36 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení