řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 522 A 40 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
215-2453
Výrobní číslo:
AUIRFS8409-7TRL
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

522A

Maximální napětí na zdroji Vds

40V

Řada

HEXFET

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

0.75mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

375W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Přímé napětí Vf

1.2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

305nC

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Výkonový MOSFET Infineon Automotive DirectFET® má 60V maximální napětí zdroje vypouštění s 68A maximální nepřetržitý proud vypouštění v pouzdru D2-pak 7pin. Tento výkonový MOSFET HEXFET, speciálně navržený pro použití v automobilovém průmyslu, využívá nejnovější techniky zpracování k dosažení extrémně nízké úrovně odolnosti vůči křemíkové ploše par. Dalšími vlastnostmi těchto konstrukcí jsou provozní teplota křižovatky 175°C, rychlá spínací rychlost a lepší opakovaná lavinová charakteristika. Tato funkce v kombinaci činí z tohoto produktu mimořádně efektivní a spolehlivé zařízení pro použití v automobilovém průmyslu a široké škále dalších aplikací.

Špičková technologie zpracování

Nová Ultra nízká odolnost

Rychlé spínání

Možnost opakovaného průrazu až do hodnoty Tjmax

Bezolovnatá

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.