AEC-Q101, řada: HEXFET MOSFET AUIRFSA8409-7TRL N-kanálový 523 A 40 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 214-8963
- Výrobní číslo:
- AUIRFSA8409-7TRL
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (5 jednotky/-ek, v balení po 5 ks)*
933,66 Kč
(bez DPH)
1 129,73 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 350 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 186,732 Kč | 933,66 Kč |
| 10 - 20 | 168,058 Kč | 840,29 Kč |
| 25 - 45 | 156,846 Kč | 784,23 Kč |
| 50 - 120 | 145,632 Kč | 728,16 Kč |
| 125 + | 134,466 Kč | 672,33 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-8963
- Výrobní číslo:
- AUIRFSA8409-7TRL
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 523A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.69mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 305nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.54mm | |
| Výška | 4.83mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 9.65mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 523A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.69mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 305nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.54mm | ||
Výška 4.83mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 9.65mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonové tranzistory MOSFET Infineon HEXFET využívají nejnovější techniky zpracování k dosažení extrémně nízkého odporu na křemíkové ploše. Dalšími vlastnostmi tohoto designu jsou provozní teplota 175°C, rychlá spínací rychlost a zlepšená opakovaná lavinová zatížitelnost. Tyto funkce se kombinují, aby se tento design učinil mimořádně účinným a spolehlivým zařízením pro použití v automobilovém průmyslu a pro širokou škálu dalších aplikací.
Špičková technologie zpracování
Nová Ultra nízká odolnost
Splňuje požadavky pro automobilový průmysl
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET AUIRFS8409-7TRL N-kanálový 522 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 522 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení