AEC-Q101, řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 85 A 55 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 165-8197
- Výrobní číslo:
- IRF1010NSTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 800 kusech)*
14 968,00 Kč
(bez DPH)
18 112,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 09. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 18,71 Kč | 14 968,00 Kč |
| 1600 + | 17,775 Kč | 14 220,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 165-8197
- Výrobní číslo:
- IRF1010NSTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 85A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 11mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 180W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 120nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 4.83mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 85A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 11mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 180W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 120nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 4.83mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-kanálový výkon MOSFET 55 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 70 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 210 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 29 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 19 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení